[实用新型]用于相机端口的静电防护电路有效
申请号: | 201320760880.3 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203596611U | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 黄友华 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 相机 端口 静电 防护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种静电防护电路,更具体的说是涉及一种用于相机端口的静电防护电路。
背景技术
相机为手持设备,其内部集成有很多敏感的电子元器件。人在使用时,由于人体带有静电,静电对相机内部的电子元器件的破坏力极强。尤其是在干燥的冬季,人体身上的静电极其多。在冬季使用相机,人体静电将给相机以严重考验。为了对静电进行泄放,会在相机的端口上连接静电泄放电路,但是,现有的电路结构,其不仅电路结构复杂,有时还不能对静电进行完全泄放,由于静电作用,由于静电对灰尘有极强的吸附作用,也使得相机内部极易进灰,最终影响相机的使用寿命和拍摄品质。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于相机端口的静电防护电路,其电路结构简单,且可将作用于相机的静电完全泄放,有效的对相机进行保护。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
用于相机端口的静电防护电路,它包括二极管D1和二极管D2,所述的二极管D1的阳极连接在二极管D2的阴极上,所述的二极管D1的阴极连接在电源上,所述的二极管D2的阳极接地,所述的二极管D1的阴极连接在三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的基极通过电阻R1连接在发射极且发射极接地,所述的二极管D1的阳极通过电阻R2同时连接在三极管T2的基极和三极管T3的基极上,所述的三极管T2的发射极连接在电源上,所述的三极管T2的集电极连接在三极管T3的集电极上,所述的三极管T3的发射极接地,所述的三极管T3和三极管T1均为NPN型三极管,所述的三极管T2为PNP型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选,所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。
作为优选,所述的电阻R2的阻值范围为2千欧姆至4千欧姆。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型的静电防护电路包括两个二极管、三个三极管和两个电阻,其电路结构简单,有效的减少电路板的面积,减少相机的体积负荷。
2、本实用新型可采用两级静电泄放且可根据静电电性提供多条静电泄放通路,有效的将静电泄放完全,有效的对相机进行保护,保障相机的拍摄品质。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的用于相机端口的静电防护电路,它包括二极管D1和二极管D2,所述的二极管D1的阳极连接在二极管D2的阴极上,所述的二极管D1的阴极连接在电源上,所述的二极管D2的阳极接地,所述的二极管D1的阴极连接在三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的基极通过电阻R1连接在发射极且发射极接地,所述的二极管D1的阳极通过电阻R2同时连接在三极管T2的基极和三极管T3的基极上,所述的三极管T2的发射极连接在电源上,所述的三极管T2的集电极连接在三极管T3的集电极上,所述的三极管T3的发射极接地,所述的三极管T3和三极管T1均为NPN型三极管,所述的三极管T2为PNP型三极管。在本实用新型中,二极管D1的阳极连接在相机的端口电路上,三极管T1的集电极连接在相机的内部电路上。当静电作用于相机的端口上时,二极管D1、二极管D2和三极管T1根据静电的电性提供多条泄放通道,其为一级泄放电路。若静电未泄放完全,三极管T2和三极管T3再次对未泄放完全的静电进行二次泄放,有效的保证将静电泄放完全,避免静电作用于相机影响拍摄品质和对相机使用寿命的影响。整个电路采用两级静电泄放方式,可完全对静电进行泄放。电阻R1提供三极管T1的导通压降,为静电泄放提供有效通路。电阻R2为限流电阻,避免电流过大对内部电路造成破坏。本实用新型的静电防护电路将静电泄放完全,避免静电对灰尘的吸附,保障了相机的拍摄品质,也避免清洗相机对相机带来的损害。
为了使本电路的性能更加稳定,所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。采用稳压二极管可有效对静电泄放提供通路,使得该电路的性能更加稳定。
所述的电阻R2的阻值范围为2千欧姆至4千欧姆。电阻R2起限流作用,避免电流过大对内部电子元器件造成破坏,即其至少也应该在2千欧姆,但是为了使得其不对外接端口的设备信号传输时造成影响,电阻R2的阻值不应超过4千欧姆。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
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