[实用新型]一种电子通信设备的高稳定电源控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子通信设备电源，尤其涉及一种电子通信设备的高稳定电源控制电路。

背景技术

电子通信设备包括计算机、有/无线通信设备、处理设备、控制设备及相关的配套设备、设施等的电子设备，应用于对信息进行采集、加工、存储、传输、检索等信息处理，而现有技术中，电子通信设备的电源电路结构复杂、采用电子元件多；成本高，难以普及，且电压输出不稳定，影响通信信息质量。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种电子通信设备的高稳定电源控制电路。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

本实用新型包括变压器、整流器、第一电容至第五电容、第一二极管、第二二极管、第一电阻至第四电阻、场效应管、三极管、可控硅和电位器，交流电源的第一端与所述变压器的初级线圈的第一端连接，所述交流电源的第二端与所述变压器的初级线圈的第二端连接，所述变压器的次级线圈的第一端分别与所述第一电容的第一端和所述整流器的第一电压端连接，所述变压器的次级线圈的第二端与所述整流器的第二电压端连接，所述整流器的正极分别与所述第三电容的第一端、所述第一二极管的正极、所述第二电容的第一端和所述场效应管的漏极连接，所述第一二极管的负极分别与所述第一电容的第二端和所述第二二极管的正极连接，所述第二二极管的负极分别与所述第二电容的第二端和所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述场效应管的栅极、所述三极管的集电极和所述可控硅的阴极连接，所述场效应管的源极分别与所述三极管的基极和所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端分别与所述三极管的发射极、所述电位器的第一端、所述电位器的滑动端、所述第五电容的第一端和所述稳压可调电源电路的第一电压输出端连接，所述电位器的第二端分别与所述第四电容的第一端、所述第四电阻的第一端和所述可控硅的控制端连接，所述可控硅的阳极分别与所述第一电阻的第一端、所述第四电阻的第二端、所述第四电容的第二端、所述第五电容的第二端和所述稳压可调电源电路的第二电压输出端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第三电容的第二端和所述整流器的负极连接。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型是一种电子通信设备的高稳定电源控制电路，与现有技术相比，本实用新型的电路结构简单、采用电子元件少、成本低廉，利于普及，尤其是本实用新型的输出电压稳定，能够保证通信设备的稳定运行，提高通信质量，具有推广使用的价值。

附图说明

图1是本实用新型的电路结构原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图1所示：本实用新型包括变压器T、整流器BR、第一电容C1至第五电容C5、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1至第四电阻R4、场效应管FET、三极管VT、可控硅Q和电位器RP，交流电源AC的第一端与变压器T的初级线圈的第一端连接，交流电源AC的第二端与变压器T的初级线圈的第二端连接，变压器T的次级线圈的第一端分别与第一电容C1的第一端和整流器BR的第一电压端连接，变压器T的次级线圈的第二端与整流器BR的第二电压端连接，整流器BR的正极分别与第三电容C3的第一端、第一二极管D1的正极、第二电容C2的第一端和场效应管FET的漏极连接，第一二极管D1的负极分别与第一电容C1的第二端和第二二极管D2的正极连接，第二二极管D2的负极分别与第二电容C2的第二端和第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端分别与场效应管FET的栅极、三极管VT的集电极和可控硅Q的阴极连接，场效应管FET的源极分别与三极管VT的基极和第三电阻R3的第一端连接，第三电阻R3的第二端分别与三极管VT的发射极、电位器RP的第一端、电位器RP的滑动端、第五电容C5的第一端和稳压可调电源电路的第一电压输出端VO1连接，电位器RP的第二端分别与第四电容C4的第一端、第四电阻R4的第一端和可控硅Q的控制端连接，可控硅Q的阳极分别与第一电阻R1的第一端、第四电阻R4的第二端、第四电容C4的第二端、第五电容C5的第二端和稳压可调电源电路的第二电压输出端VO2连接，第一电阻R1的第二端分别与第三电容C3的第二端和整流器BR的负极连接。

如图1所示：交流电压经变压器T降压、整流器BR整流、第三电容C3滤波，此外，第一电容C1、第二电容C2、第一二极管D1、第二二极管D2组成倍压电路，电位器RP和第四电阻R4组成分压电路，第二电阻R2和可控硅Q组成取样放大电路，第三电阻R3和三极管VT组成限流保护电路，场效应管FET作调整管，第五电容C5对输出电压进行滤波。稳压过程是：当输出电压降低时，可控硅Q的参考极电位降低，经可控硅Q内部放大使可控硅Q的阴极电压增高，经场效应管FET调整后，三极管VT发射极电位升高；反之，当输出电压增高时，可控硅Q的控制端电位升高，可控硅Q的阴极电压降低，经场效应管FET调整后，三极管VT发射极电位降低，从而使输出电压稳定。当输出电流大于设定值时，三极管VT截止，使输出电流被限制在设定值内，从而达到稳流的目的。