[实用新型]一种带激光修调工艺的集成芯片结构

权利要求书

1.一种带激光修调工艺的集成芯片结构，包括衬底(1)以及设置在衬底（1）上的第一金属层，其特征在于：所述第一金属层（4）上设置可激光修调的熔丝图形, 第一金属层与衬底（1）之间增设阱区（2），所述阱区（2）嵌入衬底（1）内，该阱区（2）做浮空处理，不接任何电位。

2.根据权利要求1所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：还包括设置在阱区（2）与第一金属层之间的硅化物阻止区SAB（3）。

3.根据权利要求1所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：与第一金属层相邻上方或下方还设有第二金属层（5）, 第二金属层（5）及第一金属层（4）电性连接，第二金属层（5）设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。

4.根据权利要求2所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：还包括嵌在衬底（1）上的掺杂区（6），所述掺杂区包围硅化物阻止区SAB（3）及阱区（2），第一金属层覆盖掺杂区,在掺杂区上形成一金属保护环（42）。

5.根据权利要求2所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：所述第一金属层（4）上设置多个熔丝图形，所述熔丝图形包括两个端头及熔断区；所述端头为边长为3-4微米的正方块，所述熔断区为具有一定长度、宽0.5-2微米的长方形。

6.根据权利要求5所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：各个熔丝图形之间至少保留9微米的间距。

7.根据权利要求6所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：还包括覆盖于集成电路表面的钝化层，所述钝化层上对应熔断区的范围开窗。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的带激光修调工艺的集成芯片结构，其特征在于：还包括金属熔丝标识层。