[实用新型]免焊线的正装LED芯片有效
申请号: | 201320770179.X | 申请日: | 2013-11-30 |
公开(公告)号: | CN203659932U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 叶国光;李秦豫;罗长得 | 申请(专利权)人: | 广东德力光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 529000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 免焊线 led 芯片 | ||
1.一种免焊线的正装LED芯片,其特征在于:包括:
—外延芯片,外延芯片包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层和ITO层,在ITO层上形成有网状手指;
—N型电极,形成于外延芯片的N型层上,该N型电极与外延芯片电性耦合;
—P型电极,形成于外延芯片的P型层上,该P型电极与外延芯片电性耦合,P型电极与网状手指金属连接;
—荧光粉层,形成于外延芯片上;
—隔离层,形成于外延芯片的上侧和四周;
—焊料层,位于N型电极与相应的外置电路以及P型电极和相应的外置电路之间。
2.根据权利要求1所述的免焊线的正装LED芯片,其特征在于:N型电极高度、P型电极高度、荧光粉层高度相一致或者高度差为LED总厚度的5%之内。
3.根据权利要求1所述的免焊线的正装LED芯片,其特征在于:所述隔离层厚度为0.5微米-30微米之间。
4.根据权利要求1或3所述的免焊线的正装LED芯片,其特征在于:所述隔离层为二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺材料。
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