[实用新型]一种熔丝调节电路有效

专利信息
申请号: 201320771726.6 申请日: 2013-11-30
公开(公告)号: CN203761366U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 高旭 申请(专利权)人: 西安辉盛科技发展有限责任公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 西安亿诺专利代理有限公司 61220 代理人: 刘斌
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 调节 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域,尤其涉及用于模拟集成电路中的一种熔丝调节电路。

背景技术

在集成电路的中,为了降低芯片的成本,提高芯片的灵活度和成品率。通常要在芯片的设计过程中设置有熔丝。在芯片的测试中,根据测试结果或者芯片设置的参数要求,通过熔丝对电路进行调节,从而可以达到不重新制造芯片也可以对芯片的不同设置的结果。

目前,常用的熔丝设置电路如图1所示,通过将熔丝直接设置在要调节的MOS管的栅极上,从而实现电路的调节功能。

这样的方案主要存在以下缺陷:

因为要调节的MOS管可能是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大,因此它的寄生电容电阻特别大,源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地,可能造成功率MOS管的工作状态不稳定,会给整个芯片引入不必要的噪声。

发明内容

为解决传统熔丝调节电路工作状态不稳定的问题,本实用新型提供一种新的熔丝调节电路,抗干扰能力强,且实现简单。

本实用新型的解决方案如下:

一种熔丝调节电路,包括MOS 管(203)、偏置电流(204)、熔丝F1(201)和熔丝F2(202),MOS 管(203)的源极连接偏置电流(204);在MOS管(203)的栅极接有两级分别由MOS管MP1(207)和MOS管MN1(208)、MOS管MP2(209)和MOS管MN2(210)组成的反相器;在所述MOS 管MP1(207)和MOS管MN1(208)组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管(211),最后熔丝调节MOS管(211)的栅极通过熔丝F1(201)和熔丝F2(202)分别连接至电源和地,熔丝调节MOS管(211)的源极接有电流偏置(206)。

熔丝调节MOS管(211)尺寸小于MOS 管(203)。

本实用新型具有以下优点:

熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管,且基本不会引入额外的噪声。

附图说明

图1为本实用新型熔丝调节电路示意图。

具体实施方式

传统熔丝调节电路,功率MOS管MP3的栅极通过熔丝F1和F2分别连接至电源和地。功率MOS管MP3的源极接电流偏置Ibias,漏极输出。通常,因为要调节的MOS管是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大,因此它的寄生电容电阻特别大,源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地,可能造成功率MOS管的工作状态不稳定,会给整个芯片引入不必要的噪声。

本实用新型熔丝调节电路如图2所示,功率MOS管MP3源极接有电流偏置Ibias,MOS管MP3的栅极前接有两级分别由MN1和MP1、MN2和MP2组成的反相器。在MN1和MP1组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管MN,最后熔丝调节MOS管MN4的栅极通过熔丝F1和F2分别连接至电源和地。熔丝调节MOS管MN4的源极接有电流偏置Ibias。

功率MOS管MP3的尺寸很大,MN1和MP1、MN2和MP2组成的反相器尺寸依次变大,这两级反相器作为缓冲对大尺寸的MP3进行控制。而熔丝直接连接的MOS管尺寸相对于MP3可以做的很小。这样。熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管MP3,而基本不会引入额外的噪声。

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