[实用新型]一种熔丝调节电路有效
申请号: | 201320771726.6 | 申请日: | 2013-11-30 |
公开(公告)号: | CN203761366U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 高旭 | 申请(专利权)人: | 西安辉盛科技发展有限责任公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 刘斌 |
地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调节 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域,尤其涉及用于模拟集成电路中的一种熔丝调节电路。
背景技术
在集成电路的中,为了降低芯片的成本,提高芯片的灵活度和成品率。通常要在芯片的设计过程中设置有熔丝。在芯片的测试中,根据测试结果或者芯片设置的参数要求,通过熔丝对电路进行调节,从而可以达到不重新制造芯片也可以对芯片的不同设置的结果。
目前,常用的熔丝设置电路如图1所示,通过将熔丝直接设置在要调节的MOS管的栅极上,从而实现电路的调节功能。
这样的方案主要存在以下缺陷:
因为要调节的MOS管可能是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大,因此它的寄生电容电阻特别大,源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地,可能造成功率MOS管的工作状态不稳定,会给整个芯片引入不必要的噪声。
发明内容
为解决传统熔丝调节电路工作状态不稳定的问题,本实用新型提供一种新的熔丝调节电路,抗干扰能力强,且实现简单。
本实用新型的解决方案如下:
一种熔丝调节电路,包括MOS 管(203)、偏置电流(204)、熔丝F1(201)和熔丝F2(202),MOS 管(203)的源极连接偏置电流(204);在MOS管(203)的栅极接有两级分别由MOS管MP1(207)和MOS管MN1(208)、MOS管MP2(209)和MOS管MN2(210)组成的反相器;在所述MOS 管MP1(207)和MOS管MN1(208)组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管(211),最后熔丝调节MOS管(211)的栅极通过熔丝F1(201)和熔丝F2(202)分别连接至电源和地,熔丝调节MOS管(211)的源极接有电流偏置(206)。
熔丝调节MOS管(211)尺寸小于MOS 管(203)。
本实用新型具有以下优点:
熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管,且基本不会引入额外的噪声。
附图说明
图1为本实用新型熔丝调节电路示意图。
具体实施方式
传统熔丝调节电路,功率MOS管MP3的栅极通过熔丝F1和F2分别连接至电源和地。功率MOS管MP3的源极接电流偏置Ibias,漏极输出。通常,因为要调节的MOS管是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特别大,因此它的寄生电容电阻特别大,源漏电流很大。如果它的栅极直接通过熔丝连接电源或地,可能造成功率MOS管的工作状态不稳定,会给整个芯片引入不必要的噪声。
本实用新型熔丝调节电路如图2所示,功率MOS管MP3源极接有电流偏置Ibias,MOS管MP3的栅极前接有两级分别由MN1和MP1、MN2和MP2组成的反相器。在MN1和MP1组成的反相器之前接有熔丝调节MOS管MN,最后熔丝调节MOS管MN4的栅极通过熔丝F1和F2分别连接至电源和地。熔丝调节MOS管MN4的源极接有电流偏置Ibias。
功率MOS管MP3的尺寸很大,MN1和MP1、MN2和MP2组成的反相器尺寸依次变大,这两级反相器作为缓冲对大尺寸的MP3进行控制。而熔丝直接连接的MOS管尺寸相对于MP3可以做的很小。这样。熔丝可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管MP3,而基本不会引入额外的噪声。
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