[实用新型]一种IGBT并联均流电路

权利要求书

1.一种IGBT并联均流电路，包括N个并联的IGBT模块、N为整数、N≥2，RCD吸收电路与负载，其中RCD吸收电路并接于IGBT模块两端，电源通过负载与IGBT模块连接；其特征在于，所述并联的IGBT模块中各IGBT栅极短接，所述RCD吸收电路由二极管、电阻、电容构成，电阻并接于二极管两端，电容串接于二极管负极，电容两端还并接电容放电回路。

2.按权利要求1所述一种IGBT并联均流电路，其特征在于，所述电容放电回路由MOSFET开关管与三个并联的放电电阻构成，并联后放电电阻一端与电容共接信号地，另一端接MOSFET开关管源极，MOSFET开关管漏极接电容另一端；控制信号加载于MOSFET开关管栅极。

3.按权利要求1所述一种IGBT并联均流电路，其特征在于，所述IGBT模块由IGBT、栅极电阻、防误导通电阻构成；防误导通电阻接于IGBT栅极与源极之间，用于防止IGBT在工作中因外界电磁干扰出现误导通；IGBT栅极通过栅极电阻接驱动信号，漏极通过负载接电源，源极接信号地。