[实用新型]高过载背压式绝压传感器模块

权利要求书

1.高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，其特征在于：所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙。

2.根据权利要求1 所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述限位岛与硅芯片的硅弹性膜区之间的限位间隙为4~6μm。

3.根据权利要求1或2所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述绝压真空腔内的铝引线和铝热压脚通过硅芯片上的浓硼埋层引线实现电连接。

4.根据权利要求3所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述硅芯片的硅弹性膜区为由梁区和膜区构成的梁膜区，在所述梁区内设置四个压敏电阻构成惠斯顿电桥，膜区厚度为梁区厚度的二分之一。

5.根据权利要求4所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述梁区包括依次排列的边窄梁区—岛区—中心宽梁区—岛区—边窄梁区，在所述中心宽梁区上设置两个所述压敏电阻，两个边窄梁区上各设置一个所述压敏电阻，所述岛区的长度为边窄梁区或中心宽梁区长度的2倍以上。

6.根据权利要求5所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述金属基座为具有与硅芯片相同数量级的热膨胀系数的可阀金属，硅芯片的背部采用真空镀膜工艺生成一层钛镍银或铬镍金背金层，金属基座与背金层在高温下形成共晶层。

7.根据权利要求6所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：还包括软金属基座，软金属基座由比可阀金属软的金属材料制成，所述金属基座上设置有密封槽和应力隔离缺口，将金属基座压入软金属基座的安装孔位中，金属基座在压入的过程中对安装孔位的内壁进行推挤，使得安装孔位内壁塑性变形而填充所述密封槽，所述应力隔离缺口比密封槽更靠近硅芯片，且不与安装孔位内壁接触形成应力隔离槽。

8.根据权利要求1所述的高过载背压式绝压传感器模块，其特征在于：所述盖板静电键合在硅芯正面，或者盖板与硅芯片的正面共晶结合，或者盖板涂胶粘结在硅芯片的正面。