[实用新型]一种晶体硅太阳电池正面电极有效
申请号: | 201320795079.2 | 申请日: | 2013-12-06 |
公开(公告)号: | CN203774341U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 贾河顺;姜言森;任现坤;徐振华;马继磊;张春艳;方亮 | 申请(专利权)人: | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
地址: | 250103 山东省济南*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 正面 电极 | ||
技术领域
本使用新型涉及太阳电池印刷技术领域,具体是涉及一种晶体硅太阳电池正面电极。
背景技术
现有的晶体硅太阳电池的正面结构,常见的是由两条或多条等间距且平行的长方形主栅线和与之垂直的多条副栅线组成;组模组阶段要用焊线进行拉焊或点焊把多个太阳电池片进行串联或并联达到需要的电学输出条件。但是在银浆印刷和烧结过程中,存在虚印和断栅的问题,这样虚印或者断栅部分的电子要经过比较长的路径才能汇流到太阳电池的主栅线上,这样就增加了太阳电池的串联电阻,从而降低了太阳电池的效率;另外浆料在印刷烧结后,栅线不是平滑一致的截面,这样,电子通过截面小的栅线表面的电阻就会变大,这样也会增加太阳电池的串联电阻,减低效率。
本使用新型就是通过正面电极的结构设计,降低太阳电池的串联电阻,提高太阳电池的效率,而且还可以和常用的检测机台兼容。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种晶体硅太阳电池正面电极,降低太阳电池的串联电阻,提高太阳电池的效率,还可以和常用的检测机台兼容。
本实用新型提供的一种晶体硅太阳电池正面电极,包括两条以上的主栅线和一条以上的副主栅以及多条副栅线,主栅线等距且平行排列,与副栅线垂直并连接在一起,副主栅与主栅线平行且连接两条或多条相邻的副栅线。
所述的主栅线的宽度0.5-2mm。
副主栅的宽度0.001-1mm。
副栅线的宽度0.001-0.1mm。
优选的,正面电极包括两条主栅线、一条副主栅以及3条以上条副栅线;主栅线等距且平行排列,与副栅线垂直并连接在一起;副主栅与两条主栅线平行并位于两条主栅线的中间位置,副主栅与副栅线垂直连接所有副栅线;所述的主栅线的宽度1.5mm,副主栅的宽度0.05mm,副栅线的宽度0.1mm。
优选的,正面电极包括两条主栅线,1条以上副主栅以及2条以上副栅线;主栅线等距且平行排列,与副栅线垂直并连接在一起;副主栅平行于主栅线且位于两条主栅线的中间位置,每条副主栅连接两条相邻的副栅线;所述的主栅线的宽度1.5mm,副主栅的宽度0.05mm,副栅线的宽度0.1mm。
本实用新型的有益效果为:本实用新型的晶体硅太阳电池正面电极可以减少断栅、虚印及细栅线截面的电流流通路径,显著降低太阳电池的串联电阻,提高了太阳电池的效率,在不改变现有一般产线设备的情况下,降低生产成本,提高产品的价格优势,适于工业应用。
附图说明:
图1所示为本实用新型实施例1晶体硅太阳电池正面电极示意图;
图2所示为本实用新型实施例2晶体硅太阳电池正面电极示意图。
图中,1.副主栅;2. 副栅线;3.主栅线;4.太阳电池片。
具体实施方式:
为了更好地理解本实用新型,下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案,但是本实用新型并不局限于此。
实施例1
参见说明书附图图1,本实用新型的晶体硅太阳电池正面电极为,太阳电池片4的正面电极有两条主栅线3、一条副主栅1以及多条副栅线2组成,主栅线3等距且平行排列,与副栅线2垂直并连接在一起,副主栅1连接两条相邻的副栅线2;所述的主栅线3的宽度1.5mm,副主栅1的宽度0.05mm,副栅线2的宽度0.1mm。
采用本实施例的太阳电池正面电极,可以显著降低太阳电池串联电阻,以6英寸多晶硅太阳电池为例,使用该方法每片太阳电池的串联电阻可以降低0.1mΩ,效率提高0.05%。
实施例2
参见说明书附图图2,晶体硅太阳电池正面电极为,太阳电池片4的正面电极由两条主栅线3、一条副主栅1以及多条副栅线2组成,主栅线3等距且平行排列,与副栅线2垂直并连接在一起,副主栅1位于两条主栅3的中间位置且与副栅线2垂直连接所有副栅线2;所述的主栅线3的宽度1.5mm,副主栅1的宽度0.05mm,副栅线2的宽度0.1mm。
采用本实施例的太阳电池正面电极,可以显著降低太阳电池串联电阻,以6英寸多晶硅太阳电池为例,使用该方法每片太阳电池的串联电阻可以降低0.07mΩ,效率提高0.03%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的