[实用新型]标定电路结构有效
申请号: | 201320799206.6 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN203587792U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王永良;徐小峰;孔祥燕;谢晓明;邱阳;张树林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 高磊 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 标定 电路 结构 | ||
1.一种标定电路结构,用于标定多通道超导量子干涉传感阵列中的各超导量子干涉器磁传感器,其特征在于,所述标定电路结构包括:
印刷电路板,印制第一线圈和多个第二线圈,其中,所述第一线圈的尺寸大于所述多通道超导量子干涉传感阵列的尺寸;
各所述超导量子干涉器磁传感器位于以所述第一线圈的圆心为圆心的至少两个同心圆的圆周上,各所述第二线圈对应一个同心圆圆周上的超导量子干涉器磁传感器,所述第二线圈的尺寸介于所述超导量子干涉器磁传感器中探头的尺寸与比所述探头的尺寸大一预设值之间;
与所述印刷电路板相连、且按照设定的输送规则向各所述同心圆线圈输送驱动电流的信号发生器。
2.根据权利要求1所述的标定电路结构,其特征在于,所述预设值为所述探头的尺寸的1至2倍。
3.根据权利要求1所述的标定电路结构,其特征在于,所述第一线圈和/或第二线圈为单匝或多匝。
4.根据权利要求3所述的标定电路结构,其特征在于,所述第一线圈和/或第二线圈为多匝,所述第一线圈和/或第二线圈由所述印刷电路板中相邻的多导电层的同轴单匝线圈构成、或由所述印刷电路板中的至少一层导电层的同轴多匝线圈构成。
5.根据权利要求1所述的标定电路结构,其特征在于,所述第一线圈的圆心与盛放所述阵列的容器底部中轴相重合。
6.根据权利要求1所述的标定电路结构,其特征在于,各所述第二线圈按照各同心圆周上且彼此相邻的超导量子干涉器所在位置进行设置,或按照各同心圆周上且彼此分散的超导量子干涉器磁传感器所在位置进行设置。
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