[实用新型]一种可抗干扰的分布电感补偿电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源领域，特别是指一种应用在开关电源中的可抗干扰的分布电感补偿电路。

背景技术

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属氧化物半导体场效应管)是一种广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其技术大幅度提升，MOSFET的导通电阻已经达到低于2mΩ，开关速度小于20ns。开关电源技术中的同步整流技术在这种形势下应运而生。利用低导通电阻MOSEFT设计的同步整流主拓扑电路，可以使开关电源效率的提升了3%--8%百分点

同步整流技术是现代开关电源技术的标志，凡是高水平开关电源均存在同步整流技术，且在使用面上不再局限于5V、3.3V、2.5V等低压输出电压领域，在12V、15V、19V至24V以下的输出，几乎都在使用同步整流技术。但是MOSFTE有体二极管又称为寄生二极管，凡事二极管就会存在反向恢复时间，该过程使得二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则二极管在正、反向都可导通，起不到开关作用，因此给电路带来了干扰。

实用新型内容

本实用新型提出一种在开关电源中的可抗干扰的分布电感补偿电路。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种可抗干扰的分布电感补偿电路，包括：共模电感L5、分布电感L5C、同步整流MOSFET及同步电路；其中所述同步整流MOSFET与所述共模电感电性连接，工模电感与分布电感电性连接，分布电感与同步电路电性连接。

进一步的，所述分布电感L5C为5～10uH。

进一步的，所述共模电感L5采用镍锌材质的磁环绕制而成。

进一步的，还包括电容C11；所述电容C11靠近所述同步整流MOSFET的S极，所述共模电感L5靠近电容C11。

进一步的，所述电容C11的负极以及二极管D5、共模电感L5的2脚分别连接至MOSFET的S极。

本实用新型可抗干扰的分布电感补偿电路，通过共模电感的电感量，分布电感消除同步整流MOSFET体二极管给电路造成的干扰，使电源的效率游了大幅度的提升。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一种可抗干扰的分布电感补偿电路的电子线路框图；

图2为本实用新型一种可抗干扰的分布电感补偿电路的电子线路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

一种可抗干扰的分布电感补偿电路，包括：共模电感L5、分布电感L5C、同步整流MOSFET及同步电路；其中所述同步整流MOSFET与所述共模电感电性连接，工模电感与分布电感电性连接，分布电感与同步电路电性连接。进一步的，所述分布电感L5C为5～10uH。

进一步的，所述共模电感L5采用镍锌材质的磁环绕制而成，其可对辐射干扰起到很好的抑制作用。

进一步的，还包括电容C11；所述电容C11靠近所述同步整流MOSFET的S极，所述共模电感L5靠近电容C11，时期产生的漏感一直和消除MOSFET二极管给电路造成的干扰。

进一步的，所述电容C11的负极以及二极管D5、共模电感L5的2脚分别连接至MOSFET的S极。

本实用新型在LED开关电源输出中设这一个共模电感，既可以抑制共模干扰和辐射干扰功能，解决EMI(Electro Magnetic Interference电磁干扰)的传导和辐射干扰，另外通过控制共模电感的电感量，控制楼干在5～10uH，消除同步电流中MOSFET二极管给电路造成的干扰，使电源的效率大幅度提升。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。