[实用新型]研磨垫有效
| 申请号： | 201320805113.X | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203622171U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 | ||
1.一种研磨垫，其特征在于，所述研磨垫包括研磨垫底层、位于所述研磨垫底层上并设有多个沟槽的研磨片表层和位于所述沟槽内的阻挡块。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述阻挡块的宽度小于所述沟槽的宽度。
3.如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述阻挡块的宽度范围是3mm～6mm。
4.如权利要求3所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽的宽度范围是5mm～10mm。
5.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述阻挡块的高度小于所述沟槽的深度。
6.如权利要求5所述的研磨垫，其特征在于，所述阻挡块的高度范围是2mm～6mm。
7.如权利要求6所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽的高度范围是3mm～8mm。
8.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽的数量为20～40条。
9.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，位于所述研磨垫内圈沟槽内的阻挡块个数为2～30个。
10.如权利要求9所述的研磨垫，其特征在于，位于所述研磨垫外圈沟槽内的阻挡块个数为30～100个。
11.如权利要求10所述的研磨垫，其特征在于，位于所述研磨垫内圈沟槽的阻挡块密度小于位于所述研磨垫外圈沟槽的阻挡块密度。
12.如权利要求11所述的研磨垫，其特征在于，位于所述研磨垫内圈沟槽的阻挡块之间的距离范围是6mm～8mm。
13.如权利要求11所述的研磨垫，其特征在于，位于所述研磨垫外圈沟槽的阻挡块之间的距离范围是3mm～5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320805113.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种移动式太阳能照明拖车
- 下一篇：高粘度润滑剂用润滑泵
