[实用新型]静电去除装置有效
| 申请号： | 201320805114.4 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631544U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王智东;陆志卿;傅俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 去除 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电去除装置，用于去除半导体晶圆表面的静电，其特征在于，所述静电去除装置包括支撑框架、升降装置以及离子棒，其中，所述升降装置固定在支撑框架上，所述离子棒固定在所述升降装置上。
2.如权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述离子棒包括棒芯和棒壳，所述棒芯镶嵌入所述棒壳内。
3.如权利要求2所述的静电去除装置，其特征在于，所述棒芯设有多个孔洞，所述孔洞均匀分布在所述棒芯上。
4.如权利要求3所述的静电去除装置，其特征在于，所述孔洞面向所述支撑框架设置。
5.如权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述静电去除装置还包括一晶圆载台，所述半导体晶圆放置于所述晶圆载台上。
6.如权利要求5所述的静电去除装置，其特征在于，所述离子棒与所述半导体晶圆保持预定距离。
7.如权利要求6所述的静电去除装置，其特征在于，所述预定距离范围是10mm～80mm。
8.如权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述升降装置包括升降杆以及升降架，所述升降架设置于所述升降杆上。
9.如权利要求8所述的静电去除装置，其特征在于，所述升降杆设有螺纹，所述升降架通过螺纹设置于所述升降杆上。
10.如权利要求1所述的静电去除装置，其特征在于，所述升降装置可升降高度范围是0～400mm。
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