[实用新型]一种用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片有效
| 申请号： | 201320807654.6 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN203659887U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 贾巍;雷刚;王训春;陈萌炯;陆剑峰 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;G02B5/20 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 空间 三结砷化镓 太阳电池 红外 截止 滤光 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片，其特征在于：由一维光子晶体[H1L1]7和一维光子晶体[H2L2]7拼接组成；所述一维光子晶体[H1L1]7由交替布置的H1层和L1层构成，共十四层，L1层的折射率小于H1层的折射率；所述一维光子晶体[H2L2]7由交替布置的H2层和L2层构成，共十四层，L2层的折射率小于H2层的折射率。
2.依据权利要求1所述的用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片，其特征在于，所述红外截止滤光片蒸镀在玻璃盖片与三结砷化镓太阳电池粘合的表面。
3.依据权利要求1所述的用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片，其特征在于：所述H1层和H2层的材料为TiO2，所述L1层和L2层的材料为SiO2。
4.依据权利要求2所述的用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片，其特征在于：每层H1层的厚度为58.3nm，每层L1层的厚度为205.9nm；H2层的厚度为H1层的厚度的1.1倍，L2层的厚度为L1层的厚度的1.1倍。
5.依据权利要求2所述的用于空间三结砷化镓太阳电池的红外截止滤光片，其特征在于：所述L2层位于玻璃盖片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
