[实用新型]一种振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201320811722.6 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN203590179U 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 王文建 申请(专利权)人: 浙江商业职业技术学院
主分类号: H03K3/02 分类号: H03K3/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310053 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 振荡器 电路
【权利要求书】:

1.振荡器电路,其特征在于包括分压电路、偏置电路、充放电电路和电压比较电路:

所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述比较电路的参考电压;

所述偏置电路是提供给所述充放电电路的充放电电流;

所述电容充放电电路是对充放电电容进行充放电;

所述电压比较电路是对所述充放电电路的电容上的电压进行比较产生出振荡信号。

2.如权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于所述分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻:

所述第一电阻的一端接基准电压VREF,另一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路;

所述第二电阻的一端接所述第一电阻和所述电压比较电路,另一端接所述第三电阻和所述电压比较电路;

所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述电压比较电路,另一端接所述第四电阻的一端和所述偏置电路;

所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述偏置电路,另一端接地。

3.如权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于所述偏置电路包括第一运放、第一PMOS管、第一NMOS管和第五电阻:

所述第一运放的正端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端,负端接所述第一NMOS管的源极和所述第五电阻的一端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;

所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述充放电电路,源极接电源;

所述第一NMOS管的栅极接所述第一运放的输出端,漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极,源极接所述第一运放的负端和所述第五电阻的一端;

所述第五电阻的一端接所述第一运放的负端和所述第一NMOS管的源极,另一端接地。

4.如权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于所述充放电电路包括第二PMOS管、第一电容和第二NMOS管:

所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极,漏极接所述电压比较电路和所述第一电容和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源;

所述第一电容的一端接所述第二PMOS管的漏极和所述电压比较电路和所述第二NMOS管的漏极,另一端接地;

所述第二NMOS管的栅极接所述电压比较电路的输出,漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端,源极接地。

5.如权利要求1所述的振荡器电路,其特征在于所述电压比较电路包括第一比较器、第二比较器和第一RS触发器:

所述第一比较器的正端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端,负端接所述第二比较器的正端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极,输出端接所述第一RS触发器的S端;

所述第二比较器的正端接所述第一比较器的负端和所述第二PMOS管的漏极和所述第一电容的一端和所述第二NMOS管的漏极,负端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端,输出端接所述第一RS触发器的R端;

所述第一RS触发器的S端接所述第一比较器的输出端,R端接所述第二比较器的输出端,Q端接所述第二NMOS管的栅极。

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