[实用新型]圆形六角密排多像素光子计数器有效

专利信息
申请号: 201320817286.3 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN203745087U 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 张国青;刘丽娜;朱长军 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: G01J11/00 分类号: G01J11/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 圆形 六角 密排多 像素 光子 计数器
【权利要求书】:

1.圆形六角密排多像素光子计数器,其特征在于,包括有光子计数器本体,所述光子计数器本体上设置有若干个圆形APD单元(10),所述若干个圆形APD单元(10)呈多行多列交错排列,所述若干圆形APD单元(10)之间并联,所述若干个圆形APD单元(10)都与一个负载连接。 

2.根据权利要求1所述的圆形六角密排多像素光子计数器,其特征在于,所述光子计数器本体,自上而下依次设置有SiO2钝化层(2)、高掺杂层(3)、外延层(4)及衬底层(8),所述SiO2钝化层(2)的上部边缘设置有电极(1),所述外延层(4)内靠近高掺杂层(3)处设置有多个富掺杂区(5),每个富掺杂区(5)的下部与所述衬底层(8)之间设置有体电阻区(6),相邻的两个体电阻区(6)之间设置有耗尽隔离区(7),所述衬底层(8)的下部设置有背电极(9)。 

3.根据权利要求2所述的圆形六角密排多像素光子计数器,其特征在于,所述衬底层(8)为掺杂的硅单晶片,硅单晶片的掺杂类型为N型或P型; 

所述外延层(4)为掺杂的硅单晶片,硅单晶片掺杂类型为N型或P型。 

4.根据权利要求1所述的圆形六角密排多像素光子计数器,其特征在于,所述电极(1)和所述背电极(9)均为金属膜或透明导电膜。 

5.根据权利要求4所述的圆形六角密排多像素光子计数器,其特 征在于,所述金属膜为银膜、金膜、铝膜或钛膜。 

6.根据权利要求4所述的圆形六角密排多像素光子计数器,其特征在于,所述透明导电膜为ITO薄膜。 

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