[实用新型]甚低频高压防电晕馈电电缆有效

专利信息
申请号: 201320817684.5 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN203673860U 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 包志勇;许德玲;成琦;于沅琳;董现明;张闻宇 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十三研究所
主分类号: H01B7/18 分类号: H01B7/18;H01B7/17;H01B7/42;H01B7/04
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200437 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 甚低频 高压 电晕 馈电 电缆
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电缆,尤其涉及甚低频发射天线系统中的传输馈线用电缆。

技术背景

甚低频发射天线馈线要求的传输电流大、电压高,同时电缆悬空使用,要求重量轻并具有足够的抗拉强度,以满足承拉需求。目前,普通的安装线电缆都是采用一定截面积的铜绞线在表面挤出一层护套材料制成,结构较为简单。此种电缆在高电压作用下容易产生电晕,会影响天线的发射效率,不能作为甚低频发射天线的馈线使用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提供一种甚低频高压防电晕馈电电缆,可以解决高电压下的防电晕问题,而且考虑到传输大电流需要的导体截面积, 可以使在一定导体截面积下传输大电流产生的发热量和电缆散热能力达到平衡,并且还兼顾保证电缆在实际使用过程中的柔软、耐磨、安装、承拉、耐疲劳等能力,确保综合电缆的整体性能优良。

为解决上述技术问题,本实用新型的技术解决方案是:

甚低频高压防电晕馈电电缆,其特征在于:所述电缆从内到外依次设有中芯填充线1、由抗拉纤维组成的增强层2、内护套3、填充套管层绞结构层4、中护套5、导电层6、半导电层7、外护套8;所述填充套管层绞结构层4为采用空心填充套管用层绞的方法束包在内护套3外形成的结构层。

优选的,所述中芯填充线1采用高密度聚乙烯挤塑。

优选的,所述增强层2采用芳纶纤维编织。

优选的,所述内护套3采用低密度聚乙烯挤塑。

优选的,所述空心填充套管采用高密度聚乙烯挤塑。

优选的,所述中护套5采用低密度聚乙烯挤塑.

优选的,所述导电层6采用裸铜线编织。

优选的,所述半导电层7采用半导电聚烯烃挤塑。

优选的,所述外护套8采用聚氨酯挤塑。

本实用新型可带来以下有益效果:

本实用新型的电缆可以作为甚低频天线的馈电电缆使用,传输电压高、电流大。电缆采用增大导电层外径和在导电层外设置半导电层的方法来减少导体表面的电场集中,提高电缆的电晕电压。同时,采用轻质、复合的电缆结构,降低了电缆外径增加造成的重量过大影响,并通过增强层的设计保证了电缆一定的抗拉强度,使电缆做到电气性能和物理性能的兼顾。

主要指标优良:①线密度≤780g/m;②导电层外径≥25mm;③载流量≥120A;④灭晕电压≥94kV;⑤破断拉力≥5kN;⑥弯曲半径:≤500mm;⑦最大外径≤30mm;⑧工作温度-45℃~+85℃。

本实用新型解决的关键技术:防电晕技术、减重技术、抗拉增强技术。采用编织导体结构增大导电层外径和半导电层均化电场方法,解决了电缆的防电晕技术;采用轻质材料和空管层绞填充技术,解决了电缆的低比重要求;采用纤维材料编织工艺技术,满足电缆的抗拉承重要求。

附图说明

图1:本实用新型一个优选实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

 图1中1为中芯填充线;2为增强层;3为内护套;4为填充套管层绞结构层;5为中护套;6为导电层;7为半导电层;8为外护套。

 参见图1,中芯填充线1采用高密度聚乙烯挤塑,增强层2采用芳纶纤维编织,内护套3采用低密度聚乙烯挤塑,内护套3外用空心填充套管层绞形成一个双层结构的填充套管层绞结构层4,空心填充套管采用高密度聚乙烯挤塑,中护套5采用低密度聚乙烯挤塑,导电层6采用裸铜线编织,半导电层7采用半导电聚烯烃挤塑,外护套8采用聚氨酯挤塑。

本电缆首先根据电晕产生的原理,对电缆导体结构进行调整。电缆电晕电压主要与导体表面的曲率半径、导体表面的光滑程度、空气密度、湿度、电缆距离地面高度等有关。从电缆结构设计考虑,增大导体表面的曲率半径即选用较大外径的导体结构,因此本电缆采用在中护套5外编织一层铜丝作为导体的结构,使导电层6外径达到25mm以上,比传统的相同导体截面积的绞线导体结构大幅提高了导体表面曲率半径和电晕电压。同时,为了避免编织形成的导电层6的毛刺和不平整带来的影响,电缆在导电层6外设计了一个薄壁的半导电层挤出结构7,可以有效地改善导体表面的光滑程度,进一步提高电缆的电晕电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十三研究所,未经中国电子科技集团公司第二十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320817684.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top