[实用新型]一种带抑制涌流的无触点低压电容投切开关

说明书

技术领域

    本实用新型涉及一种投切开关，具体地说是一种带抑制涌流的无触点低压电容投切开关。

背景技术

    目前现有的低压电容器投切基本上是靠低压交流接触器或复合开关，在无功补偿系统中主要存在如下缺点：

交流接触器的缺点：无过零投切功能、可靠性差、寿命短、损耗大；

复合开关的缺点：复合开关具备过零投切功能，但响应动作时间慢，通常切除与投入间隔15S以上，在开关动作瞬间会产生瞬间电压或涌流，导致电路不稳定。

实用新型内容

针对上述现有技术中低压电容器投切在无功补偿系统中存在的缺陷，本实用新型提供一种带抑制涌流的无触点低压电容投切开关。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种带抑制涌流的无触点低压电容投切开关，包括壳体、设置在壳体上的外接端子及设置在壳体内的主控电路模块，在壳体的底部还设有限流电抗器，主控电路模块与限流电抗器串联连接，外接端子的进线端子与主控电路模块相连，出线端子与限流电抗器相连，所述的主控电路模块包括阻容吸收电路、主回路可控硅、光电耦合电路、零电压检测电路、与门逻辑电路和光耦隔离放大电路，阻容吸收电路与主回路可控硅并联，主回路可控硅两端电压经电阻降压后送至光电耦合电路，之后与零电压检测电路、与门逻辑电路和光耦隔离放大电路顺次串联连接；

在主控电路模块中还设有用于给与门逻辑电路输出指令的控制器。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供的无触点低压电容投切开关是带抑制涌流的无触点动态开关，因此投入低压电容器组可以实现无涌流投入，或涌流极小，另外由于可控硅的触发次数没有限制，并可实现准动态投入补偿，响应时间在毫秒级，因此适用于低压电容器的频繁投切，非常适合于负荷频繁变化的场合；

本实用新型结构紧凑美观，功能上电压过零投入准确、灵敏度高，特别是配合内置的限流电抗器使得电容投入时主回路涌流极小，减小了对可控硅的冲击；性能上采用相关措施使得抗干扰更强、电寿命长、可靠性高的特点；

本实用新型提供的带抑制涌流的无触点低压电容投切开关，在实现过零投切的基础上增加了限流电抗器，使之结构上一体化，进一步提高了限制投入涌流的可靠性；运行中对电网没有冲击，或冲击极小，并可快速响应实现动态投切，广泛用于低压0.4kV系统容性负载的通断控制，滤波组件的快速频繁投切等，有效补偿冲击性负荷，具有工作时无冲击涌流、无过压、无噪音、响应时间小（小于20ms）的特点。

附图说明

图1 本实用新型结构示意图；

    图2 本实用新型触发原理框图；

    图3 本实用新型主回路接线图；

    图4 控制芯片MOC3083工作原理示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型做进一步的阐述。

如图1、图2所示：一种带抑制涌流的无触点低压电容投切开关，包括壳体1、设置在壳体1上的外接端子及设置在壳体1内的主控电路模块，在壳体1的底部还设有限流电抗器2，主控电路模块与限流电抗器2串联连接，外接端子的进线端子3与主控电路模块相连，出线端子4与限流电抗器2相连，所述的主控电路模块包括阻容吸收电路、主回路可控硅、光电耦合电路、零电压检测电路、与门逻辑电路和光耦隔离放大电路，阻容吸收电路与主回路可控硅并联，主回路可控硅两端电压经电阻降压后送至光电耦合电路，之后与零电压检测电路、与门逻辑电路和光耦隔离放大电路顺次串联连接；在主控电路模块中还设有用于给与门逻辑电路输出指令的控制器；所述壳体1上设有固定支架5。

阻容吸收电路：主回路可控硅一个重要特性参数是断态电压临界上升率dv/dt，它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率；若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通；为了限制电路电压上升率过大，确保可控安全运行，常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅；同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅；由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的，RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一；

主回路可控硅：根据相应的条件接通或者断开主回路；