[实用新型]一种提高双台面可控硅器件封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种提高双台面可控硅器件封装结构，属于功率器件封装技术领域。

背景技术

软焊料具有良好的浸润性和可焊性并且流动性好、焊接温度低，因此目前的半导体器件组装焊接工艺大都采用软焊料。但在采用软焊料的双台面可控硅器件封装过程中，软焊料较好的流动性常常会导致过多的软焊料流向可控硅芯片的台面处，引起可控硅器件表面击穿，损害可控硅器件的反向阻断能力，严重的还会导致可控硅器件烧毁失效，这成为双台面可控硅器件封装工艺必须解决的一个问题。

因此，为解决上述问题，特提供一种新的技术方案。

实用新型内容

本实用新型提供一种提高双台面可控硅器件封装结构，能有效降低双台面器件焊接失效率。

本实用新型采用的技术方案是：

一种提高双台面可控硅器件封装结构，该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料和线框底座，所述双台面可控硅芯片下表面设置有可供焊接的金属，所述线框底座的上表面设置有凸台，所述软焊料设置在双台面可控硅芯片下表面的可供焊接的金属与凸台之间，所述凸台用于存储过量的软焊料。

所述凸台将双台面可控硅芯片与线框底座分开。

本实用新型的有益效果是：在线框底座的上表面设置了凸台,凸台将双台面可控硅芯片与线框底座分开，该间隙可以用于存储过量的软焊料，防止过量的软焊料流入可控硅的台面中引起器件表面击穿,从而可以有效避免双台面可控硅器件反向阻断能力退化，提高双台面可控硅器件封装可靠性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型凸台的结构示意图。

其中：1、双台面可控硅芯片，2、金属，3、软焊料，4、凸台，5、线框底座。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型的作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的保护范围的限定。

如图1和图2所示，本实用新型的一种提高双台面可控硅器件封装结构，该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片1、软焊料3和线框底座5，双台面可控硅芯片1下表面设置有可供焊接的金属2，线框底座5的上表面设置有凸台4，软焊料3设置在双台面可控硅芯片1下表面的可供焊接的金属2与凸台4之间，凸台4用于存储过量的软焊料3。

凸台4将双台面可控硅芯片1与线框底座5分开。

本实用新型在制作封装用线框时在线框底座5上制作一个凸台4，凸台4面积比双台面可控硅芯片1可供焊接的金属2略大，凸台4高度适中，组装时凸台4位于双台面可控硅芯片1的正下方，凸台4与双台面可控硅芯片1可供焊接的金属2之间用软焊料3焊接。

本实用新型的有益效果是：在线框底座5的上表面设置了凸台4，凸台4将双台面可控硅芯片1与线框底座5分开，该间隙可以用于存储过量的软焊料3，防止过量的软焊料3流入可控硅的台面中引起器件表面击穿，从而可以有效避免双台面可控硅器件反向阻断能力退化，提高双台面可控硅器件封装可靠性。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作任何其他形式的限制，而依据本实用新型的技术实质所作的任何修改或等同变化，仍属于本实用新型所要求保护的范围。