[实用新型]用于减小电路的泄漏功率的装置、处理器和系统有效

专利信息
申请号: 201320824119.1 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN204130188U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: G·K·沙曼纳;S·鲁苏;P·K·坎杜拉;S·普拉萨德;M·R·拉纳德;N·纳塔拉詹;T·托马斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 减小 电路 泄漏 功率 装置 处理器 系统
【权利要求书】:

1.一种用于减小泄漏功率的装置,所述装置包括: 

多个晶体管,其可操作以提供动态可调的晶体管尺寸,所述多个晶体管在一端耦合到第一电源,在另一端耦合到第二电源; 

电路,其耦合到所述第二电源,所述第二电源向所述电路供电;以及 

功率控制单元(PCU),其用以监控所述第一电源的电平,并动态调整所述多个晶体管的晶体管尺寸,以便调整所述第二电源从而保持所述电路可操作。 

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多个晶体管是p型晶体管。 

3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电路是以下的一个或部分: 

静态随机存取存储器(SRAM);或 

功率门控晶体管。 

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述PCU可操作以监控由环形振荡器产生的信号的频率,以便确定过程偏斜,所述PCU按照所确定的过程偏斜动态地调整所述晶体管尺寸。 

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一电源的电压电平高于所述第二电源的电压电平。 

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电路是静态随机存取存储器(SRAM)的休眠晶体管。 

7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述PCU将所述第一电源的电平同与所述电路相关联的电源带组相比较,其中,所述电源带组指示为所述多个晶体管设定的晶体管尺寸。 

8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述PCU通过监控由环形振荡器产生的信号的频率来限定所述电源带组。 

9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述环形振荡器确定过程偏斜,并且其中,所述PCU限定所述电源带组,以根据确定的过程偏斜来调整所述晶体管尺寸。 

10.一种能够减小泄漏功率的处理器,所述处理器包括: 

休眠晶体管,其在一端耦合到第一电源,在另一端耦合到第二电源,所述第二电源向存储器单元供电,所述休眠晶体管包括可操作以提供动态可调的晶体管尺寸的多个晶体管;以及 

功率控制单元(PCU),其用以监控所述第一电源的电平,并动态调整所述多个晶体管的晶体管尺寸,以便调整所述第二电源以保持存储在所述存储器单元中的数据。 

11.根据权利要求10所述的处理器,其中,所述存储器单元是静态随机存取存储器(SRAM)。 

12.根据权利要求10所述的处理器,其中,所述第一电源的电压电平高于所述第二电源的电压电平。 

13.根据权利要求10所述的处理器,其中,所述PCU可操作以监控由环形振荡器产生的信号的频率,以便确定过程偏斜,所述PCU按照所确定的过程偏斜来动态调整所述晶体管尺寸。 

14.根据权利要求10所述的处理器,其中,所述PCU将所述第一电源的电平同与所述存储器单元的保持电源电平相关联的电源带组相比较,并且其中,所述电源带组指示为所述多个晶体管设定的晶体管尺寸。 

15.根据权利要求14所述的处理器,其中,所述PCU通过监控由环 形振荡器产生的信号的频率来限定所述电源带组。 

16.根据权利要求15所述的处理器,其中,所述环形振荡器确定过程偏斜,并且其中,所述PCU限定所述电源带组,以根据所确定的过程偏斜调整所述晶体管尺寸。 

17.根据权利要求10所述的处理器,其中,所述PCU动态调整所述多个晶体管的晶体管尺寸,以便将所述第二电源调整为高于所述存储器单元的保持电源电平。 

18.一种具有用于减小泄漏功率的装置的系统,所述系统包括: 

存储器; 

处理器,其耦合到所述存储器,所述处理器包括根据权利要求1-9中的任一项所述的用于减小泄漏功率的装置;以及 

无线接口,其用于允许所述处理器与另一个设备通信。 

19.根据权利要求18所述的系统,进一步包括显示单元。 

20.一种具有能够减小泄漏功率的处理器的系统,所述系统包括: 

存储器; 

处理器,其耦合到所述存储器,所述处理器是根据权利要求10-17中的任一项所述的处理器;以及 

无线接口,其用于允许所述处理器与另一个设备通信。 

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