[实用新型]一种扇形结构的LED芯片

权利要求书

1.一种扇形结构的LED芯片，包括基板层、焊片层、芯片层以及散热透光层，基板层位于最底层，焊片层设置在基板层与该芯片层之间，散热透光层覆盖在芯片层上；其特征在于： 

所述基板层整体呈圆盘状，在基板层的圆盘面上布置有若干个正负极区域；正负极区域整体呈扇形，正负极区域一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分别为正极区域和负极区域；若干个正负极区域均以圆盘面的圆心为圆心顺序布满在基板层的圆盘面上，若干个正极区域与负极区域呈间隔排列； 

所述焊片层包括若干个子焊片，每一个子焊片都唯一对应一个正极区域或者负极区域； 

所述芯片层包括若干个PN结，PN结整体呈扇形，PN结一分为二成两个形状和面积完全相同的扇形，分别为正极部分和负极部分；每一个正极部分的扇形形状以及扇形面积与所述基板层的正极区域相同，且一个正极部分通过一个子焊片唯一对应地连接在一个正极区域上；每一个负极部分的扇形形状以及扇形面积与所述基板层的负极区域相同，且一个负极部分通过一个子焊片唯一对应地连接在一个负极区域上； 

位于正极部分和正极区域之间的子焊片与位于负极部分和负极区域之间的子焊片不接触； 

所述PN结之间串联连接，所述散热透光层由具有散热透光的材料制成。 

2.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：所述基板层由陶瓷或者金属材料制成，其顶面上镀有金或者银层，金或者银层的厚度在0.05-0.1mm之间。 

3.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：所述焊片层为共晶焊片层，所述共晶焊片层为AuSn合金，其中Au的质量百分比为30％-70％，所述共晶焊片层的厚度在0.05-0.15mm之间。 

4.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：所述焊片层为共晶焊片层，所述共晶焊片层为AuSnAg合金，其中Au、Ag的总 体质量百分比为30％-70％，Au与Ag之间的质量比例在1：1至1：5之间，所述共晶焊片层的厚度在0.05-0.15mm之间。 

5.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：所述每一个正极区域、负极区域、正极部分、负极部分以及子焊片整体都呈扇形，其中，正极区域、负极区域、正极部分、负极部分的扇形形状以及扇形面积相同，子焊片的扇形形状以及扇形面积小于正极区域、负极区域、正极部分、负极部分的扇形形状以及扇形面积。 

6.如权利要求1所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：所述散热透光层由荧光透明陶瓷制成，荧光透明陶瓷为钇铝石榴石透明陶瓷片。 

7.如权利要求1至6中任意一项权利要求所述的一种扇形结构的LED芯片，其特征在于：在所述基板层的圆盘面上布置有四个正负极区域，组成一个正负极区域的正极区域和负极区域的扇形面积为该基板层圆盘面面积的1/8；所述焊片层包括八个子焊片，所述芯片层包括四个PN结，组成一个PN结的正极部分以及负极部分的扇形面积为基板层圆面积的1/8。