[实用新型]一种基于电流模的总线接收器

权利要求书

1.一种基于电流模的总线接收器，其特征在于，所述总线接收器至少包括：

参考电压产生单元，用于产生总线信号的参考电压；

第一电压电流转换单元，与所述参考电压产生单元相连，用于将所述参考电压转换成参考电流；

第二电压电流转换单元，用于将接收的总线信号转换成总线信号电流；

电流模比较单元，与所述第一电压电流转换单元以及所述第二电压电流转换单元相连，包括第一差模电流产生电路和第二差模电流产生电路构成的AB类输出电路，以及与所述AB类输出电路连接的反相器，用于接收所述参考电流和所述总线信号电流，从所述反相器输出总线读取电压信号。

2.根据权利要求1所述的一种基于电流模的总线接收器，其特征在于：所述参考电压产生单元包括电阻R3、电阻R4、电阻R5以及一个高压NMOS管，其中，所述电阻R3与所述电阻R4串联，所述电阻R4与所述电阻R5串联；所述高压NMOS管的漏极与所述电阻R4和所述电阻R5的连接的一端相连，所述高压NMOS管的漏极与所述电阻R4的另一端相连；在所述电阻R3与所述电阻R4之间输出所述参考电压。

3.根据权利要求1所述的一种基于电流模的总线接收器，其特征在于：所述第一电压电流转换单元包括一个电阻和一个高压PMOS管，所述高压MOS管的栅极接收所述参考电压，所述高压PMOS管的源极与所述电阻相连，所述高压PMOS管的漏极输出参考电流。

4.根据权利要求1所述的一种基于电流模的总线接收器，其特征在于：所述第二电压电流转换单元包括一个电阻和一个高压PMOS管，所述高压MOS管的栅极接收所述总线信号电压，所述高压PMOS管的源极与所述电阻相连，所述高压PMOS管的漏极输出总线信号电流。

5.根据权利要求1所述的一种基于电流模的总线接收器，其特征在于：所述电流模比较单元中的所述第一差模电流产生电路用于接收所述参考电流和总线信号电流，当所述参考电流小于总线信号电流时，所述第一差模电流产生电路处于导通状态，当所述参考电流大于总线信号电流时，所述第一差模电流产生电路处于关断状态；所述第二差模电流产生电路用于接收所述参考电流和总线信号电流，当所述参考电流小于总线信号电流时，所述第二差模电流产生电路处于关断状态，当所述参考电流大于总线信号电流时，所述第二差模电流产生电路处于导通状态；所述反相器用于接收所述第一差模电流产生电路输出端与所述第二差模电流产生电路的输出端的连接点输出的比较结果电压信号，并将所述比较结果电压信号相位反转，输出总线读取电压信号。

6.根据权利要求5所述的一种基于电流模的总线接收器，其特征在于：所述第一差模电流产生电路包括NMOS管M1，NMOS管M2，NMOS管M6，NMOS管M7，NMOS管M8，NMOS管M10，PMOS管P1，PMOS管P3；其中，所述参考电流输入到所述NMOS管M1的漏极，所述NMOS管M1的漏极与所述NMOS管M1的栅极相连，所述NMOS管M1的栅极与所述NMOS管M2的栅极相连，所述NMOS管M1的源极与所述NMOS管M2的源极相连，所述NMOS管M2的漏极与所述PMOS管P1的漏极相连，所述PMOS管P1的漏极与所述PMOS管P1的栅极相连，所述PMOS管P1的栅极与所述PMOS管P3的栅极相连，所述PMOS管P1的源极与所述PMOS管P3的源极相连，所述PMOS管P3的漏极与所述NMOS管M7的漏极相连；所述总线电路信号输入到所述NMOS管M10的漏极，所述NMOS管M10的漏极与所述NMOS管M10的栅极相连，所述NMOS管M10的栅极与所述NMOS管M8的栅极相连，所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M8的源极相连，所述NMOS管M8的漏极与所述NMOS管M7的漏极相连；所述NMOS管M7的漏极与所述NMOS管M7的栅极相连，所述NMOS管M7的栅极与所述NMOS管M6的栅极相连，所述NMOS管M7的源极与所述NMOS管M6的源极相连，所述NMOS管M6的漏极为所述第一差模电流产生电路的输出端。