[实用新型]一种具备电极保护的半导体激光器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种激光器，具体为一种具备电极保护的半导体激光器。

背景技术

现有技术中的半导体激光器，其P型电极层在工作过程中容易因为发热而熔解脱落，从而导致不均匀的电流注入，从而严重影响半导体激光器的性能。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型对传统半导体激光器的结构进行了改变，其技术方案如下：

一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：

衬底；

N型GaN层；

N型AlGaN包覆层；

N型GaN光导层；

InGaN有源层；

P型GaN光波导；

P型AlGaN包覆层；

P型GaN层；

位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；

位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；

位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。

通过上述结构的改进，本实用新型的具备电极保护的半导体激光器，其由于加入了绝缘层、辅助电极层和电极保护层，因而能有效的防止P型电极层在工作过程中熔解脱落。

附图说明，

图1为本实用新型的具备电极保护的半导体激光器的截面结构示意图

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参见附图1，半导体激光器包括以下层级：衬底1；N型GaN层2；N型AlGaN包覆层3；N型GaN光导层4；InGaN有源层5；P型GaN光波导6；P型AlGaN包覆层7；P型GaN层8；位于所述P型GaN层上的绝缘层9，绝缘层9有开口；位于绝缘层9上的金属辅助电极层10，金属辅助电极层10通过所述开口与所述P型GaN层8电连接；位于金属辅助电极层上10的TiO2电极保护层11，TiO2电极保护层11覆盖部分的金属辅助电极层10。

本实用新型采用了双电极结构，通过绝缘层和辅助电极层，将P型电极层电连接到辅助电极层，同时用电极保护层保护辅助电极层不至于熔解脱落，同时P型电极层的热量经辅助电极层传到进行发散，也保护了P型电极层。

本实用新型中的各个层级，都可以采用现有技术中的沉积、蚀刻或者掺杂等工艺制作，只要达到本实用新型限定的结构和参数即可。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。