[实用新型]无损吸收升压电路和开关电源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域，尤其涉及一种无损吸收升压电路和开关电源。

背景技术

图1所示为现有一升压拓扑电路的电路结构示意图，该升压拓扑电路包括电压源U01、带抽头的电感L01、电感L02、二极管D01、二极管D02、二极管D03、电容C01、电容C02和电子开关K01，图1所示升压拓扑电路通过电感L02、二极管D02、二极管D03和电容C02吸收二极管D01的反向恢复电流，电子开关K01导通时，二极管D01的反向恢复电流通过电感L02、二极管D02给电容C02充电，通过电容C02存储二极管D01存在反向恢复电流过程的能量。然而，当电容C02上的电压超过电容C02的电压峰值时，电容C02通过二极管D02、电感L02、二极管D01、电容C02放电，此时电流通过二极管D02、电感L02、二极管D01、电容C02流向地，如此电流在充电过程出现逆流，会导致电路出现振荡现象，而电路发生振荡会造成干扰，影响电路的升压效果，而且增大电路损耗，甚至振荡过大时会损坏电路元器件。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种无损吸收升压电路和开关电源，旨在实现电路的无损耗输出，而且防止电路发生振荡。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种无损吸收升压电路，该无损吸收升压电路包括电压源、电子开关、第一二极管、第一电容、电源输出端以及设有抽头的第一电感，所述无损吸收升压电路还包括用于吸收反向恢复电流的能量和漏感能量并再度输出，且充放电过程电流不逆流的能量吸收模块；其中，

所述第一电感的第一端与所述电压源的正极连接，所述第一电感的第二端通过所述能量吸收模块与所述第一二极管的阳极连接，所述电压源的负极接地；所述第一二极管的阴极与所述电源输出端连接，且经由所述第一电容接地；所述电子开关的第一端与所述第一电感的抽头连接，所述电子开关的第二端接地，且与所述能量吸收模块连接，所述能量吸收模块的输出端与所述第一电容的正极连接。

优选地，所述能量吸收模块包括第二电感、第二电容、第二二极管和第三二极管；

所述第二电感的一端与所述第二二极管的阳极连接，所述第二电感的另一端与所述第一电感的第二端连接；

所述第二电容的一端与所述第一二极管的阳极连接，所述第二电容的另一端与所述第二二极管的阴极连接，且与所述第三二极管的阳极连接；所述第二二极管的阳极经由所述电子开关与所述第一电感的抽头连接，所述第三二极管的阴极与所述第一电容的正极连接。

优选地，所述无损吸收升压电路还包括用于控制所述电子开关导通或者关断的升压控制芯片；所述升压控制芯片的PWM信号输出端与所述电子开关的控制端连接。

优选地，所述无损吸收升压电路还包括用于采样所述电源输出端输出的电压并反馈至所述升压控制芯片的输出反馈模块；所述输出反馈模块包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端与所述电源输出端连接，所述第一电阻的另一端与所述升压控制芯片的反馈输入端连接，且经由所述第二电阻接地。

优选地，所述电子开关包括一MOS管，所述MOS管的栅极与所述升压控制芯片的PWM信号输出端连接，所述MOS管的漏极与所述第一电感的抽头连接，所述MOS管的源极接地，且与所述第二二极管的阳极连接。

优选地，所述MOS管为NMOS管。

优选地，所述电子开关包括一三极管，所述三极管的基极与所述升压控制芯片的PWM信号输出端连接，所述三极管的集电极与所述第一电感的抽头连接，所述三极管的发射极接地，且与所述第二二极管的阳极连接。

优选地，所述三极管为NPN三极管。

优选地，所述能量吸收模块还包括第四二极管、第五二极管和第三电容；

所述第四二极管的阳极与所述第一电感和所述第二电感的公共连接点连接，所述第四二极管的阴极与所述第五二极管的阳极连接，且经由所述第三电容与所述电子开关的第一端连接，所述第五二极管的阴极与所述第一电容的正极连接。

本实用新型还提出一种开关电源，该开关电源包括无损吸收升压电路，该无损吸收升压电路包括电压源、电子开关、第一二极管、第一电容、电源输出端以及设有抽头的第一电感，所述无损吸收升压电路还包括用于吸收反向恢复电流的能量和漏感能量并再度输出，且充放电过程电流不逆流的能量吸收模块；其中，