[实用新型]MOSFET功率器件有效
| 申请号： | 201320838583.6 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203871340U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;陈宇 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 功率 器件 | ||
1.一种MOSFET功率器件，其特征在于，包括：
衬底和形成在所述衬底上的外延层；
形成在所述外延层中的多个条形的MOSFET元胞，所述多个MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每个所述MOSFET元胞包括源区、栅结构和第一阱区，所述第一阱区位于所述源区的下方；
形成在所述外延层中的多个第二阱区，所述多个第二阱区沿第二方向相互平行且任意相邻的两个所述第二阱区之间的距离相等，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成预设角度，所述第一阱区和所述第二阱区掺杂的类型相同，通过所述多个第二阱区连通所述多个第一阱区。
2.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成垂直。
3.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱区的深度大于所述第一阱区的深度。
4.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述多个第二阱区中相邻两个所述第二阱区的间隔为两个所述栅结构之间栅中心间距的5-10倍。
5.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构为沟槽型。
6.如权利要求5所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构的深度大于等于所述第一阱区的深度，并且小于等于所述第二阱区的深度。
7.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构为平面型。
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