[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

随着平板显示器件薄膜工艺（thin film transistor）技术和工艺的进步，液晶面板日益向高分辨高画质方面发展。图1是滤光层（包括彩色滤光片107和黑矩阵106）位于阵列基板的结构（COA；Color filter on Array），即COA阵列基板，由于没有对盒产生漏光的问题，从而可以有效减少黑矩阵106宽度，从而提高了像素开口率，进而提高面板透过率。COA技术与主要靠液晶分子面内旋转的超级多维场开关液晶显示技术相结合，可以有效防止倾斜方向漏光，避免混色现象发生；因此该技术成为高分辨率产品中有竞争力的技术之一。

如图1所示，通常COA阵列基板的基本结构是在基底101上形成包括薄膜晶体管的图形，其中薄膜晶体管为顶栅型和底栅型的均可，其中以底栅型薄膜晶体管为例，其包括：栅极102，覆盖栅极102的栅极绝缘层103，设于栅极绝缘层103上方的有源区104，以及源、漏极105，且源、漏极105与有源区104连接的。在形成有薄膜晶体管的基底101上制备滤光层107；在滤光层上制备平坦化层108，用来消除段差；再依次制备第一电极层（公共电极）110、钝化层111（PVX）、第二电极层（像素电极）112，其中像素电极层通过贯穿钝化层111、第一电极层（公共电极）110、平坦化层108以及滤光层的接触过孔109与薄膜晶体管的漏极105连接。然而由于接触过孔109处，液晶排列会出现不规则现象并导致漏光现象发生，故需要在下面加长漏极105部分的长度，以避免漏光的发生；但是漏极105长度增加将导致开口率减小，增加产品功耗；而且由于接触过孔109比较深，其顶端开口较大，所以对COA阵列基板的开口率的影响加大。再言之接触过孔109比较深，也很可能引起断线现象，导致像素电极与漏极断路，无法进行像素充电。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述不足，提供一种开口率提高的阵列基板及显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括：设置在设有薄膜晶体管的基底上的滤光层，覆盖所述滤光层的平坦化层，设于所述平坦化层上方的像素电极，所述阵列基板还包括与薄膜晶体管漏极连接并延伸至滤光层上方的第三电极层；在滤光层上的第三电极层上方设有贯穿平坦化层的接触过孔，且像素电极通过该接触过孔与第三电极层连接。

本实用新型的阵列基板的漏极是通过一条与其连接并延伸至滤光层的第三电极层与像素电极电连接，且其中滤光层上的第三电极层上方设有贯穿平坦化层的接触过孔，像素电极通过该接触过孔与第三电极层连接，该接触过孔明显比现有的用于漏极与像素电极连接的接触过孔的开口小，且无需延长漏极，故其开口率明显提高。

优选的是，所述滤光层包括彩色滤光片，所述第三电极层延伸至所述彩色滤光片上方，所述像素电极位于所述彩色滤光片上方。

优选的是，所述滤光层包括黑矩阵，所述第三电极层延伸至所述黑矩阵上方，所述黑矩阵至少位于所述薄膜晶体管上方。

优选的是，所述像素电极设在平坦化层上，所述像素电极上方还依次设有钝化层和公共电极，

或

公共电极设在所述平坦化层上，所述公共电极上方还依次设有钝化层和像素电极。

进一步优选的是，所述像素电极与公共电极的材料均为氧化铟锡。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板。

由于本实用新型的显示装置包括上述阵列基板，故其开口率提高。

附图说明

图1为现有的阵列基板的结构图；

图2为本实用新型的实施例1、2的阵列基板的一种结构图；

图3为本实用新型的实施例1、2的阵列基板的另一种结构图；以及，

图4为本实施例1、3的阵列基板的再一种结构图。

其中附图标记为：101、基底；102、栅极；103、栅极绝缘层；104、有源区；105、源极/漏极；106、黑矩阵；107、彩色滤光片108、平坦化层；109、接触过孔；110、第一电极层；111、钝化层；112、第二电极层；113、第三电极层。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：