[实用新型]具有倒装结构的LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光率高的具有倒装结构的LED芯片。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件，简称为LED，由镓与砷、磷的化合物制成。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当高的程度。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短，常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。

LED光源属于绿色光源，具有节能环保、寿命长、能耗低、安全系数高等优点，被广泛应用于照明和背光领域。目前，正装LED芯片技术成熟，但正面发出的光会被金属焊线遮蔽，而且散热性差，而倒装LED芯片具有很好的散热效果。图2所示为传统的倒装LED芯片结构，主要包括蓝宝石衬底，由上往下为N型层、发光层、P型层、P电极、N电极、P焊点、N焊点和硅基板，但是传统的倒装LED结构存在侧面发出的光被散射的现象，限制了发光率的提高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有倒装结构的LED芯片，所述LED芯片相对于现有的倒装结构LED芯片具有发光率高的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种具有倒装结构的LED芯片，包括蓝宝石衬底；位于蓝宝石衬底下表面的N型层，所述N型层的下表面上设有凸台；位于N型层凸台下表面的发光层，位于凸台右侧的N型层下表面的N电极；位于发光层下表面的P型层，位于P型层下表面的P电极，用于连接P电极和硅基板的P焊点以及用于连接N电极与硅基板的N焊点，其特征在于：所述蓝宝石衬底的横截面为正梯形，所述硅基板的上表面设有圆柱形孔洞且其侧壁为倾斜的。

优选的，所述圆柱形孔洞深2um±0.5um，直径为2um±0.5um，孔洞与孔洞之间的间隔为2um±0.5um。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述LED芯片包括正梯形蓝宝石衬底，由上往下为N型层、发光层、P型层、P电极、N电极、P焊点、N焊点、表面具有圆形孔洞且侧壁为倾斜的的硅基板，所述LED芯片可以有效地提高芯片的出光率，解决了传统倒装芯片发光效率低的问题，使倒装LED芯片更具备市场前景。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是现有技术倒装LED芯片的结构示意图；

其中：200、蓝宝石衬底 201、N型层 202、发光层 203、P型层 204、P电极 205、N电极 206、P焊点 207、N焊点 208、硅基板。

具体实施方式

如图1所示，一种具有倒装结构的LED芯片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底200的横截面为正梯形；位于蓝宝石衬底200下表面的N型层201，所述N型层201的下表面上设有凸台；位于N型层201凸台下表面的发光层202，位于凸台右侧的N型层201下表面的N电极205；位于发光层202下表面的P型层203，位于P型层203下表面的P电极204，用于连接P电极204和硅基板208的P焊点206以及用于连接N电极205与硅基板208的N焊点207，所述硅基板208的上表面设有圆柱形孔洞且其侧壁为倾斜的。所述圆柱形孔洞深2um±0.5um，直径为2um±0.5um，孔洞与孔洞之间的间隔为2um±0.5um。