[实用新型]一种晶体硅太阳电池的电极有效
| 申请号： | 201320847319.9 | 申请日： | 2013-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN203659885U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳电池的电极,包括前表面细栅线、前表面主栅线、背表面主栅线和背铝层，其特征在于：所述前表面主栅线与前表面细栅线相互垂直，所述背铝层在电极背表面为全表面覆盖；所述前表面主栅线与背表面主栅线相互平行排布；所述电极前表面主栅线和背表面主栅线的厚度均为0.5－12.0微米，宽度均为0.5－1.5毫米。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池的电极，其特征在于：所述电极前表面主栅线和背表面主栅线的厚度均优选为0.5－8.0微米,宽度均优选为0.8－1.0毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
