[实用新型]半导体晶片蚀刻辅助装置有效
| 申请号： | 201320849382.6 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN203631484U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 崔相玉 | 申请（专利权）人： | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司： | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人： | 刘新合 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 蚀刻 辅助 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶片蚀刻辅助装置，包括下盘（2）和设置在下盘（2）上的多个晶片放置凹孔（1）；
其特征在于，还包括在所述下盘（2）上的多个晶片放置凹孔（1）的底部边缘开设的防移动卡槽（40），以及用于固定晶片（3）的盖状装置（4）；
所述盖状装置（4）的上表面直径小于所述盖状装置（4）主体的直径，并在所述盖状装置（4）的上表面边缘处开设有拆分凹槽（44），在所述盖状装置（4）的底部边缘处安装有密封部（41），在所述盖状装置（4）上开设有多个导气孔（43）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片蚀刻辅助装置，其特征在于，所述防移动卡槽（40）为阶梯式结构。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶片蚀刻辅助装置，其特征在于，所述密封部（41）为密封圈。
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