[实用新型]一种用于太阳能电池的压花电极有效
申请号: | 201320858008.2 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN203659886U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 肖俊峰;刘宝信;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 压花 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于太阳能电池的压花电极,属于太阳能领域。
背景技术
能源和环境是当今世界广泛关注的两大问题,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳能电池中,晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能。因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
对于普通的晶硅太阳能电池,需要用到焊带来进行连接。然而,对于全铝背场而言,焊接焊带时比较困难,增加了生产难度。因此,开发一种用于晶硅太阳能电池的新电极具有积极的现实意义。
在晶硅太阳能电池的制作过程中,需要用到价格较高的银制作电池的电极。由于银是一种贵金属,受其价格和存量的限制,提高了晶硅太阳能电池的生产成本。目前,人们正在开发新型电极来代替银电极,比如,在全铝背结太阳能电池上来设置锡电极。然而,由于锡的储量也不是很高,同时这种电极的电阻较大。
发明内容
本实用新型目的是提供一种用于太阳能电池的压花电极。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于太阳能电池的压花电极,包括层叠设置的铜箔层和绝缘粘结层,所述铜箔层上设有压花结构。
上文中,所述压花结构可以是连续的,也可以是分段的,分段的大小可以根据实际需要来决定。
上述技术方案中,所述绝缘粘结层选自聚酰胺树脂层、环氧树脂层和聚丙烯树脂层中的一种。
上述技术方案中,所述铜箔层的厚度为5~15微米;所述绝缘粘结层的厚度为10~30微米。
上述技术方案中,所述压花结构呈圆锥形、圆台形或金字塔形。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计得到了一种新的用于太阳能电池的压花电极,对于全铝背结太阳电池来说,压花结构设置在铝背场上,铜箔层和铝背场可以直接接触充当电极,同时也满足了电池端对背钝化和背反射的要求。
2、本实用新型的压花电极可以直接贴付在全铝背结太阳能电池的铝背场上作为电极,它比传统的银电极价格低,而且不需要烧结处理,简化太阳能电池的制作工艺,同时解决了全铝背结太阳能电池不易焊接的难题。
3、本实用新型的电极结构简单,价格便宜,导电性高,制作工艺也较为简单,适于推广应用。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图;
图2是本实用新型实施例二的结构示意图。
其中:1、绝缘粘接层;2、铜箔层;3、压花结构。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1所示,一种用于太阳能电池的压花电极,包括层叠设置的铜箔层2和绝缘粘结层1,所述铜箔层上设有压花结构3。
所述的压花结构采用连续压花结构,压花纹为圆锥形。压花部分的铜箔和铝背场形成连续的接触,共同形成背面电极结构。
所述铜箔层的厚度为15微米。所述绝缘粘结层为环氧树脂层,厚度为20微米。
实施例二
参见图2所示,一种压花电极,包括层叠设置的铜箔层2和绝缘粘结层1,所述铜箔层上设有压花结构3。
所述的压花结构采用分段压花,即断续结构,压花纹为圆锥形。压花部分的铜箔和铝背场形成间隔的接触,共同形成背面电极结构。所述压花铜箔的铜箔厚度为12微米。所述绝缘粘结层为环氧树脂层,厚度为25微米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320858008.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清除光伏组件汇流带的工具铲
- 下一篇:Trench肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的