[实用新型]射频信号用功率合成器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种功率合成器，尤其涉及一种射频信号用功率合成器。

背景技术

在功率放大应用中，需要将多个功率放大管的输出通过功率合成器来增加输出功率。传统的功率合成器的结构是两路微带线威尔金森功率合成器，如下图1所示。假设各端口的负载等于传输线的特性阻抗Z0，当从端口2和端口3等功率输入时，端口1将合成高于端口2（或端口3）3dB的输出功率。这种功率合成器的优点是结构简单，带宽较宽，隔离电阻（2Z0）使端口2和端口3之间能获得较好的隔离性能，但由于采用了微带线结构，使得威尔金森功率合成器的版图面积较大，另外就是插入损耗较大，难以应用于更高功率合成。

发明内容

本实用新型提供一种射频信号用功率合成器，此射频信号用功率合成器在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗且有利于调整电感。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种射频信号用功率合成器，包括：PCB基板、位于此PCB基板上相互隔离的第一金属微带线、第二金属微带线和用于输出射频信号的输出金属区，此第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到用于接收射频信号的第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二金属微带线均由若干根交替排列的第一弧形微带条、第二弧形微带条首尾连接组成，第一弧形微带条朝向外侧排列，第二弧形微带条朝向内侧排列。

上述技术方案中进一步的改进技术方案如下：

上述方案中，所述电阻与第一输入金属区、第二输入金属区通过助焊层电连接，所述第一电容两端与第一金属微带线和输出金属区之间通过助焊层电连接，所述第二电容两端与第二金属微带线和输出金属区之间通过助焊层电连接。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型电抗功率合成器，其第一金属微带线、第二微带线一端分别连接到第一输入金属区、第二输入金属区；所述第一金属微带线与输出金属区之间设有第一电容，所述第二金属微带线与输出金属区之间设有第二电容；一电阻跨接于第一输入金属区、第二输入金属区之间，所述第一金属微带线、第二金属微带线均由若干根微带条首尾连接组成，相邻微带条之间的夹角为25~80度，在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗且有利于调整电感。

附图说明

附图1为现有功率合成器结构示意图；

附图2为本实用新型射频信号用功率合成器结构示意图；

附图3为本实用新型功率合成器局部剖面示意图一；

附图4为本实用新型功率合成器局部剖面示意图二。

以上附图中：1、PCB基板；2、第一金属微带线；3、第二金属微带线；4、输出金属区；5、第一输入金属区；6、第二输入金属区；7、第一电容；8、第二电容；9、电阻；10、助焊层；11、第一弧形微带条；12、第二弧形微带条。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例：一种射频信号用功率合成器，包括：PCB基板1、位于此PCB基板1上相互隔离的第一金属微带线2、第二金属微带线3和用于输出射频信号的输出金属区4，此第一金属微带线2、第二微带线3一端分别连接到用于接收射频信号的第一输入金属区5、第二输入金属区6；所述第一金属微带线2与输出金属区4之间设有第一电容7，所述第二金属微带线3与输出金属区4之间设有第二电容8；一电阻9跨接于第一输入金属区5、第二输入金属区6之间，，所述第一金属微带线2、第二金属微带线3均由若干根交替排列的第一弧形微带条11、第二弧形微带条12首尾连接组成，第一弧形微带条11朝向外侧排列，第二弧形微带条12朝向内侧排列。

上述电阻9与第一输入金属区5、第二输入金属区6通过助焊层10电连接，所述第一电容7两端与第一金属微带线2和输出金属区4之间通过助焊层10电连接，所述第二电容8两端与第二金属微带线3和输出金属区4之间通过助焊层10电连接。 

上述输出金属区4、第一输入金属区5、第二输入金属区6的阻抗均为50Ω。

采用了高Q值电容谐振电路的结构，在缩小整个功率合成器结构面积的同时，也减小了插入损耗，端口2和端口3的两个分叉支路由原来的四分之一波长微带线改进为一个高Q值电容与一段微带线串联组成谐振电路。高Q值电容的引入在减小版图面积的同时也降低了插入损耗。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。