[实用新型]一种SOI压力应变计

权利要求书

1.一种SOI压力应变计，包括压力应变计，其特征在于：所述压力应变计包括SOI绝缘硅片，所述SOI绝缘硅片从下至上依次包括硅衬底、二氧化硅绝缘薄膜和硅薄膜，所述硅薄膜上设置有两个或四个的力敏电阻，所述力敏电阻上设有内引线通道，所述内引线通道内设置有金属内引线，还包括用于与传感器芯片连接的铝电极，所述力敏电阻通过金属内引线相互连接和/或与铝电极连接组成压力测量电路。

2.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述内引线通道下方的硅薄膜上形成有其对应的浓硼扩散基体。

3.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述金属内引线为铝硅引线或铬镍金引线。

4.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述硅薄膜及力敏电阻的上表面覆盖有一层氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜与二氧化硅绝缘薄膜形成复合绝缘基体。

5.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：包括两个力敏电阻，所述力敏电阻之间组成半桥惠斯顿测量电路。

6.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：包括四个力敏电阻，相互之间组成全桥惠斯顿测量电路。

7.根据权利要求1所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：包括两个力敏电阻，每个力敏电阻的两端分别通过金属内引线与铝电极连接形成平行独立对电阻。

8.根据权利要求5至7任一所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述压力应变计设置于17-4PH不锈钢弹性基座的圆形弹性膜上，所述的力敏电阻分成两组，其中一组力敏电阻与圆形弹性膜的切线平行，另外一组力敏电阻与上述圆形弹性膜的切线相垂直。

9.根据权利要求8所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述的力敏电阻设置于圆形弹性膜边缘的应力峰值区。

10.根据权利要求8所述的一种SOI压力应变计，其特征在于：所述压力应变计通过玻璃粉的微熔技术与17-4PH不锈钢弹性基座连为一体。