[实用新型]一种集成封装电源有效

专利信息
申请号: 201320861171.4 申请日: 2013-12-25
公开(公告)号: CN203691210U 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 欧阳艳红;张滨;甘旭;王新坤 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H01F27/28
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 田俊峰
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 封装 电源
【权利要求书】:

1.一种集成封装电源,其特征在于,包括控制部分、磁性器件和连接部分;

所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路,所述控制芯片产生高频信号,所述功率管对所述高频信号进行功率放大;

所述磁性器件包括绕组和封装材料,由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件;

所述连接部分用于提供支撑,并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。

2.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述绕组的一部分位于所述控制部分的正上方空间。

3.如权利要求2所述的集成封装电源,其特征在于,所述磁性器件的绕组为一个或由多个相互耦合在一起的绕组组成。

4.如权利要求2所述的集成封装电源,其特征在于,所述磁性器件的绕组由多个单绕组并行组成,每个单绕组封装完成后有两个外露的供用户连接使用的端子。

5.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述控制部分的器件的连接端子及所述连接部分的电气引线上含有绝缘层,用于增大所述连接端子及电气引线与所述封装材料之间的电阻系数。

6.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述功率管为功率MOSFET或功率三极管。

7.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述连接部分为印刷电路板或引线框架。

8.如权利要求1至7任一项所述的集成封装电源,其特征在于,还包括已经成型磁性元器件,所述已经成型磁性元器件通过所述连接部分与所述控制部分连接,并封装于所述封装材料内。

9.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件由铁氧体或铁粉芯磁性材料构成。

10.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件为单个或多个功率电感、单个或多个变压器、单个或多个电感与变压器耦合磁性元器件。

11.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子上含有绝缘层,用于增大所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子与所述封装材料之间的电阻系数。

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