[实用新型]一种集成封装电源有效
申请号: | 201320861171.4 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN203691210U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 欧阳艳红;张滨;甘旭;王新坤 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H01F27/28 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 封装 电源 | ||
1.一种集成封装电源,其特征在于,包括控制部分、磁性器件和连接部分;
所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路,所述控制芯片产生高频信号,所述功率管对所述高频信号进行功率放大;
所述磁性器件包括绕组和封装材料,由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件;
所述连接部分用于提供支撑,并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。
2.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述绕组的一部分位于所述控制部分的正上方空间。
3.如权利要求2所述的集成封装电源,其特征在于,所述磁性器件的绕组为一个或由多个相互耦合在一起的绕组组成。
4.如权利要求2所述的集成封装电源,其特征在于,所述磁性器件的绕组由多个单绕组并行组成,每个单绕组封装完成后有两个外露的供用户连接使用的端子。
5.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述控制部分的器件的连接端子及所述连接部分的电气引线上含有绝缘层,用于增大所述连接端子及电气引线与所述封装材料之间的电阻系数。
6.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述功率管为功率MOSFET或功率三极管。
7.如权利要求1所述的集成封装电源,其特征在于,所述连接部分为印刷电路板或引线框架。
8.如权利要求1至7任一项所述的集成封装电源,其特征在于,还包括已经成型磁性元器件,所述已经成型磁性元器件通过所述连接部分与所述控制部分连接,并封装于所述封装材料内。
9.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件由铁氧体或铁粉芯磁性材料构成。
10.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件为单个或多个功率电感、单个或多个变压器、单个或多个电感与变压器耦合磁性元器件。
11.如权利要求8所述的集成封装电源,其特征在于,所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子上含有绝缘层,用于增大所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子与所述封装材料之间的电阻系数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320861171.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置