[实用新型]各向异性磁阻传感器垂直结构

权利要求书

1.一种各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一绝缘层，覆盖所述半导体衬底；

一个或多个磁性电阻金属条，位于所述第一绝缘层上；

接触金属层，位于所述磁性电阻金属条上；

磁阻金属短路条，位于所述接触金属层上；

第二绝缘层，覆盖所述磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且所述第二绝缘层在所述磁阻金属短路条的上方具有通孔；

置位复位金属布线层，位于所述第二绝缘层上并通过所述通孔与所述磁阻金属短路条接触；

第三绝缘层，覆盖所述置位复位金属布线层和第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述磁性电阻金属条为叠层结构，包括第一钽层、位于所述第一钽层上的坡莫合金层以及位于所述坡莫合金层上的第二钽层。

3.根据权利要求2所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述第一钽层的厚度为50埃～200埃，所述坡莫合金层的厚度为50埃～500埃，所述第二钽层的厚度为50埃～200埃。

4.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述接触金属层的材料为抗氧化的金属化合物材料。

5.根据权利要求4所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述接触金属层的材料为氮化钛，所述接触金属层的厚度为50埃～100埃。

6.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述磁阻金属短路条为叠层结构，包括钛层以及位于该钛层上的第一金属层，该第一金属层的材料为铝、硅铝合金、铝硅铜合金或铜。

7.根据权利要求6所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述钛层的厚度为100埃～200埃，所述第一金属层的厚度为1000埃～5000埃。

8.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述置位复位金属布线层为叠层结构，包括第二金属层以及位于该第二金属层上的氮化钛层，该第二金属层的材料为铝、硅铝合金、铝硅铜合金或铜。

9.根据权利要求8所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述第二金属层的厚度为1μm～3μm，所述氮化钛层的厚度为200埃～500埃。

10.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅，所述第二绝缘层和第三绝缘层的材料为氧化硅或氧化铝。

11.根据权利要求10所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为2000埃～10000埃，所述第二绝缘层的厚度为5000埃～10000埃，所述第三绝缘层的厚度为5000埃～10000埃。

12.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述半导体衬底为本征的、N型掺杂的或P型掺杂的，其晶向为<100>或<111>。

13.根据权利要求1所述的各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，所述第三绝缘层在所述置位复位金属布线层的上方具有压焊点窗口。