[实用新型]一种电磁场屏蔽罩有效

专利信息
申请号: 201320864725.6 申请日: 2013-12-25
公开(公告)号: CN203691857U 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 金基范 申请(专利权)人: 金基范
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 代理人: 周志宏
地址: 201105 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 电磁场 屏蔽
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种电设备的结构零件或外壳,更具体地说涉及一种电磁场屏蔽罩。

背景技术

很多电子设备是利用交变磁场传输信号和能量。这种设备的周围会出现较强的磁场。这些磁场对人体有害,同时产生感应电流,导致设备的误动作。因此,电子设备上需要使用磁场屏蔽材料。磁场使屏蔽材料内部产生感应电流从而失去磁能并引起屏蔽体的磁场强度减弱。因此,磁场屏蔽材料一般采用高磁导率和高饱和磁感应强度的金属软磁材料,在消除低频电磁场屏蔽效果明显。但因这种材料的相对低的电阻和相对大的涡电流损失,在更高频电磁场屏蔽效果不明显。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术不足之处而提供一种能减少高频电磁波的涡电流损失、具有在超高频电磁波区段更好屏蔽效果的电磁场屏蔽罩。

本实用新型的目的是通过以下措施来实现:一种电磁场屏蔽罩,其特征在于,屏蔽罩由基材、粘合在基材上的屏蔽层组成;所述基材为粘合胶带或屏蔽胶带,屏蔽层为片状金属软磁层,金属软磁层的磁导率为 5000Hz~150,000Hz,所述金属软磁层包括有若干单元格子,各单元格子与其相邻单元格子的邻边互相吻合,邻边间的间隙为0.001~5微米,各单元格子的面积为0.10平方毫米~2平方毫米。

所述屏蔽层若干单元格子是独立分割的单元格子。

所述屏蔽层若干单元格子包含独立分割的单元格子和邻边相连接的单元格子,独立分割的单元格子数目与邻边相连接的单元格子数目之比为4:1。

所述邻边相连接的单元格子之间的连接边或在屏蔽层一侧表层、或屏蔽层另一侧表层、或屏蔽层两侧表层均有,连接边的厚度为低于屏蔽层厚度的1/10。

所述片状金属软磁层的左右两侧搭接相围,相围的截面为筒状或矩形。

与现有技术相比,本实用新型提出的一种电磁场屏蔽罩,具有如下优点: 按照本实用新型提出的金属软磁层屏蔽罩按一定尺寸分割后能有效地减少高频电磁波的涡电流损失,从而在高频段电磁波的区段具有更好的屏蔽效果。同时,还具有良好的可控性:通过调整切割单元格子的大小,能进一步控制金属软磁材的磁导率。

附图说明

图1是本实用新型提出的一个实施例单元格子有序排列的示意图。

图2为本实用新型提出单元格子与邻边单元格子的连接示意图。

图3为本实用新型提出的片状金属软磁层左右两侧搭接相围,相围的截面为筒状的示意图。

图4为频率的变化引起屏蔽层磁导率的变化的对比图。

具体实施方式

下面结合附图对具体实施方式作详细说明:图1~图4所示给出了本实用新型不同的实施例。图中,一种电磁场屏蔽罩,屏蔽罩由基材1、粘合在基材上的屏蔽层2组成;所述基材1为粘合胶带或屏蔽胶带,屏蔽层2为片状金属软磁层,金属软磁层的磁导率为 5000Hz~150,000Hz,所述金属软磁层包括有若干单元格子3,各单元格子与其相邻单元格子的邻边互相吻合,邻边间的间隙为0.001~5微米,各单元格子的面积为0.10平方毫米~2平方毫米。所述的单元格子可以是有序排列,如图1;也可以是无序排列,未画出。无论是有序还是无序排列的单元格子均要下列条件:面积的大小均在0.10平方毫米~2平方毫米之内,各单元格子与其相邻单元格子的邻边间隙为0.001~5微米,依据实验效果来看,越小的单元格子越能得到好的效果。本实用新型的屏蔽层上的单元格子3可以是独立分割的单元格子、也可以是独立分割的单元格子和邻边相连接的单元格子,独立分割的单元格子数目与邻边相连接的单元格子数目之比为4:1。依据本实用新型人的实验效果来看,独立分割越多的单元格子越能有效地减少高频电磁波的涡电流损失、取得更好的防屏蔽效果。邻边相连接的单元格子之间的连接边4或在屏蔽层一侧表层、或屏蔽层另一侧表层、或屏蔽层两侧表层均有,连接边4的厚度为低于屏蔽层厚度的1/10,图2示出了连接边4在屏蔽层一侧表层相连的连接。依据本实用新型人的实验效果来看,连接边的厚度越低于屏蔽层厚度的1/10越能取得好的效果。

本实用新型还进一步采取如下措施:

所述片状金属软磁层的左右两侧搭接相围,相围的截面为筒状或矩形。图3给出了截面为筒状的示意图。本实用新型的片状金属软磁层可以根据被屏蔽物的形状围成相应的形式。

本实用新型经大量的试验结果绘制了频率的变化引起屏蔽层磁导率的变化的曲线图4。图中,横坐标为频率、纵坐标为磁导率。1、2、3曲线为其他屏蔽材料层的磁导率变化曲线,4为本实用新型屏蔽层磁导率变化曲线。由试验结果显示本实用新型的优越性是不言而喻的。

上面结合附图描述了本实用新型的实施方式,实施例给出的结构并不构成对本实用新型的限制,本领域内熟练的技术人员在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改均在保护范围内。

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