[实用新型]基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机

权利要求书

1.一种基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，其特征是，包括： 

两个结构完全对称的光电探测器，其中一个探测器是将光纤输入的光信号转换成电流信号，另一个探测器用于维持差分电路的输入负载平衡，增加接收机带宽； 

一个全差分结构的跨阻放大器，其作用是把光电探测器输出的电流信号转化为电压信号，并进行初步放大； 

一组顺序级联的全差分限幅放大器，其作用是将跨阻放大器输出的电压信号放大到数字处理单元所需的电压水平； 

一个输出缓冲级，其作用是将限幅放大器输出的差分电压信号转换成单端输出的电压信号，并提供驱动能力。 

2.如权利要求1所述的基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，其特征是，高跨导的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)作为跨阻放大器的共射级输入。 

3.如权利要求1所述的基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，其特征是，限幅放大器为四级，后两级为带折叠有源电感负载结构，第四级限幅放大器输入差分对管采用高跨导的锗硅异质结双极晶体管替代传统金属氧化物场效应晶体管(Si MOSFET)，以提高限幅放大器的增益。 

4.如权利要求1所述的基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，其特征是，输出缓冲级采用锗硅异质结双极晶体管作为输入差分对，采用电流镜负载实现双端输入向单端输出的转换，并在负载管两端并联由栅极、漏极相连的MOS管形成的二极管结构实现阻抗匹配。