[实用新型]发光二极管封装结构有效
申请号: | 201320876798.7 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN203774369U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 陈燕章 | 申请(专利权)人: | 深圳市力维登光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L33/60 |
代理公司: | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,包括:金属基板、LED芯片及金属导线,所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔,所述凹腔的底部设置有锡金合金层,所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层,所述LED芯片设置在所述锡金合金层上,所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接,另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接,所述锡金合金层的厚度为0.25~0.3mm。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一导热绝缘层的厚度为45~48nm。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述导线层为金铝合金导线层,厚度为45~48nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二导热绝缘层的厚度为48~55nm。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述凹腔的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述凹腔上还覆盖封装有光学透镜层。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述凹腔的底部与腔壁的角度为120度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市力维登光电科技有限公司,未经深圳市力维登光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320876798.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种简便式双面印刷机构
- 下一篇:LED支架喷墨设备