[实用新型]OLED显示面板有效
| 申请号： | 201320877359.8 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203690349U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张粲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 显示 面板 | ||
【权利要求书】：
1.一种OLED显示面板，包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层，其特征在于，还包括：形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述表面为弧面的凸起结构为半球。
5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。
7.如权利要求6所述的OLED显示面板，其特征在于，所述n大于等于1.8。
8.如权利要求1～5中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
