[实用新型]发光二极体的承载座

说明书

技术领域

本实用新型关于一种承载座，特别是指一种发光二极体的承载座。

背景技术

关于发光二极体的承载座，包括一导线架1以及局部包覆导线架1的一胶体2，其中的胶体2设有一功能区21。至于导线架1为由一金属料片(图1中未示)经冲压制成，也就是在金属料片上冲制出彼此相对凹凸的一凹杯11和一弯折段12，换言之，导线架1包含凹杯11和弯折段12。

详细而言，弯折段12为藉由冲压而相对于金属料片所上折成型，位于弯折段12中间的金属料片则相对于上折而形成下凹状的凹杯11，弯折段12的底面121与对应于凹杯11的底面111之间则因为上折而产生一距离DP。其中，凹杯11经由功能区21而露出于胶体2，以能在凹杯11内设置一发光晶片3。

惟由于习知承载座为冲压成型，因此其弯折段12必须一次上折足够的距离，才能制出适当凹凸的凹杯11和弯折段12，如此将造成前述因为上折所产生的距离DP系大于导线架1的一半厚度TP，而会在生产上发生：金属料片在弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，进而导致量产的良率过低，早为人所垢病已久。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种发光二极体的承载座，其克服金属料片弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，进而提高量产的良率。

为达上述目的，本实用新型公开了一种发光二极体的承载座，其特征在于包括：

一绝缘体，设有一功能区；以及

一导线架，局部埋入于该绝缘体内，该导线架包含一弯折结构和经由该功能区露出于该绝缘体的一凹杯，该凹杯具有一杯底面，该导线架并界定有一水平参考面，该弯折结构包含一第一弯折段和连接于该凹杯周缘与该第一弯折段的一边之间的一第二弯折段，该第一弯折段和该第二弯折段为阶梯状连接而与该水平参考面之间分别具有相异的一第一高度和一第二高度。

其中，该第二弯折段的该第二高度大于该第一弯折段的该第一高度。

其中，该凹杯还具有一凹部，该凹部具有一凹入深度，该凹入深度相同于该第二高度。

其中，该凹部连通于该绝缘体的该功能区。

其中，该水平参考面与该杯底面等高。

其中，该第一弯折段具有一第一弯折底面，该第二弯折段具有一第二弯折底面，该导线架并界定有与该第一弯折底面等高的另一水平参考面，该第一弯折底面与该水平参考面之间具有一第一距离，该第二弯折底面与该另一水平参考面之间具有一第二距离，该第一距离小于该导线架的厚度的一半，该第二距离亦小于该导线架的厚度的一半。

其中，该第一距离和该第二距离的加小于该导线架的厚度。

其中，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有与该杯底面等高的一外围底面。

其中，该导线架还包含有一外围部，该外围部阶梯状连接于该第一弯折段的另一边，且该外围部具有一外围底面，该水平参考面则与该外围底面等高。

相较于先前技术，本实用新型具有以下功效：使第一弯折段和第二弯折段的个别往上弯折距离皆小于导线架的厚度的一半，从而保证不会发生弯折后的变形问题以及尺寸变异性过大的问题，因此而能提高产品量产的良率。

附图说明

图1：为习知承载座的剖视图。

图2：为本实用新型承载座中的导线架的剖视图。

图3：为本实用新型承载座的剖视图。

具体实施方式

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。

本实用新型提供一种发光二极体的承载座，图2所示为冲压成型后的导线架4剖视图，图3所示为包括绝缘体3和导线架4的本实用新型承载座的剖视图。如图，绝缘体3设有一功能区31，导线架4则局部埋入于绝缘体3内。

如图2和图3所示，导线架4透过对一金属料片(图未示)的冲压而成型出包含一凹杯41和一弯折结构42，较佳者，导线架4还包含一外围部43。

凹杯41具有一杯底面411和一凹部412，下凹状的凹部412则具有一凹入深度D3。凹杯41经由功能区31而露出于绝缘体3，使凹部412与功能区31连通。