[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320877890.5 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203721727U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 金熙哲;宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:横纵交叉设置的多条栅线和数据线,所述数据线的表面依次形成有刻蚀阻挡层以及第一透明电极;其特征在于,所述数据线的远离所述栅线的部分与所述栅线同层形成在透明基板的表面,所述数据线在所述栅线区域断开;
所述栅线区域具有源漏金属层的图案,所述源漏金属层的图案与所述栅线绝缘,位于所述栅线两侧的所述数据线通过所述源漏金属层的图案电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述栅线与所述数据线的远离所述栅线的部分,在所述栅线区域内,位于所述栅线两侧的所述数据线部分露出在所述第一绝缘层的表面;
在所述栅线区域,所述源漏金属层的图案形成在所述第一绝缘层的表面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
TFT的栅极,所述TFT的栅极与所述栅线同层制成;
所述第一绝缘层形成在所述TFT的栅极的表面,在所述TFT的沟道区域,所述TFT的栅极部分露出在所述第一绝缘层的表面。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
依次形成在所述TFT的栅极表面的栅绝缘层以及半导体有源层的图案;
所述半导体有源层的图案采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料制成。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
形成在所述第一绝缘层表面的栅绝缘层;
所述刻蚀阻挡层形成在所述栅绝缘层的表面;
在所述栅线区域,过孔贯穿所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层,以暴露出底部的所述第一绝缘层以及所述栅线两侧的所述数据线。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述栅线与所述数据线;
在所述栅线区域,所述源漏金属层的图案形成在所述第二绝缘层的表面,且所述源漏金属层的图案通过过孔分别与位于所述栅线两侧的所述数据线电连接。
7.根据权利要求1-6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
形成在所述第一透明电极表面的钝化层的图案,所述钝化层的图案覆盖位于所述栅线区域的源漏金属层的图案;
以及形成在所述钝化层表面的第二透明电极。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明电极为像素电极,所述第二透明电极为公共电极;
且所述第一透明电极为面状结构,所述第二透明电极为间隔排列的条状结构。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的