[实用新型]一种新型GaN基LED结构

权利要求书

1.一种GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，其特征在于，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上。 

2.根据权利要求1所述的一种GaN基LED结构，其特征在于：还包括高掺杂Mg的p⁺-GaN层，和高掺杂Si的n⁺型GaN层，所述高温掺杂Mg的p型GaN层在所述高掺杂Mg的p⁺-GaN层之上，所述高掺杂Mg的p⁺-GaN层在高掺杂Si的n⁺型GaN层之上。 

3.根据权利要求1或2所述的一种GaN基LED结构，其特征在于，所述GaN基LED结构从下往上依次包括：图形化蓝宝石衬底，20-30nm u-GaN缓冲层，2000-2500nm u-GaN缓冲层，3000nm n型GaN，20至40nm高掺杂Si的n+型GaN，20至40nm高掺杂Mg的p⁺型GaN，1000至1500nm掺杂Mg的p型GaN，2-4周期In_xGa_1-xN/GaN浅MQW，9-15周期In_yGa_1-yN/GaN MQW有源区，其中y大于x，GaN势垒层，掺杂Si的n型GaN层和掺杂Si的InGaN欧姆接触层。