[实用新型]一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚有效

专利信息
申请号: 201320882574.7 申请日: 2013-12-29
公开(公告)号: CN203653753U 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 周建华 申请(专利权)人: 西安华晶电子技术股份有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 涂层 多晶 铸锭 坩埚
【权利要求书】:

1.一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:包括用于填装硅料(1)的石英坩埚(2),所述石英坩埚(2)的内侧壁与底部均均匀喷涂有一层氮化硅涂层(3),所述石英坩埚(2)内侧壁与底部的氮化硅涂层(3)上均均匀喷涂有一层硅粉涂层(4);所述石英坩埚(2)内侧壁上所喷涂的硅粉涂层(4)与硅料(1)之间垫装有一层由块状多晶硅拼装形成的护边(5)。

2.按照权利要求1所述的一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:所述硅粉涂层(4)的层厚小于氮化硅涂层(3)的层厚。

3.按照权利要求1或2所述的一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:所述石英坩埚(2)底部平铺有一层碎硅片铺装层一(6),所述碎硅片铺装层一(6)上平铺有一层与硅料(1)同步熔化的碎硅片铺装层二(7),所述碎硅片铺装层二(7)平铺在碎硅片铺装层一(6)与硅料(1)之间;所述碎硅片铺装层一(6)为位于碎硅片铺装层二(4)与石英坩埚(1)底部所喷涂的硅粉涂层(4)之间的垫层,所述碎硅片铺装层一(6)和碎硅片铺装层二(7)的厚度均不小于5mm,且碎硅片铺装层一(6)和碎硅片铺装层二(7)的总厚度不小于20mm;所述护边(5)位于碎硅片铺装层二(7)上方。

4.按照权利要求1或2所述的一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:所述护边(5)的外部结构和尺寸均与石英坩埚(2)的内部结构和尺寸相同。

5.按照权利要求1或2所述的一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:所述护边(5)的顶部高度高于石英坩埚(2)的顶部高度。

6.按照权利要求5所述的一种带隔离涂层的多晶硅铸锭用坩埚,其特征在于:所述护边(5)的顶部高度比石英坩埚(2)的顶部高度高40mm~45mm。

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