[实用新型]一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构有效
| 申请号： | 201320884857.5 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203644823U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;左青云 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 存储 rram 单元 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构，包括：衬底、位于所述衬底上的下电极，位于所述下电极上的阻变层，以及位于所述阻变层上的上电极；其特征在于，所述阻变层具有多个不同厚度的梯度层面，且所述梯度层面的材料相同。
2.根据权利要求1所述的RRAM存储单元结构，其特征在于，所述梯度层面的上表面的各个梯度层面面积值相同。
3.根据权利要求1所述的RRAM存储单元结构，其特征在于，所述阻变层为氧化硅、氧化锗或过渡金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的RRAM存储单元结构，其特征在于，所述阻变层的台阶数为三个。
5.根据权利要求1所述的RRAM存储单元结构，其特征在于，所述衬底为硅或锗半导体材料。
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