[实用新型]掉电记忆电路有效
| 申请号： | 201320885148.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203708208U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李信合;杨立萍;黄庶锋;黄开平;麻百忠;雷俊;董远;张永亮;乔维君;袁宏斌;杨乐;房振;黄兵 | 申请（专利权）人： | 美的集团股份有限公司;佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/24 | 分类号： | H03K17/24 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掉电 记忆 电路 | ||
1.一种掉电记忆电路，其特征在于，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
并联在电阻两端的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
2.如权利要求1所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电阻连接IC芯片的AN引脚，所述供电电容连接IC芯片的VDD引脚和GND引脚。
3.如权利要求1所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电压检测电容为瓷片电容，所述供电电容为电解电容。
4.一种掉电记忆电路，其特征在于，包括：
IC芯片；
与IC芯片连接的电阻；
与电阻串接并接地的电压检测电容；
连接在电压检测电容和电压源VDD之间的截止二极管；以及
与IC芯片连接的用于在掉电记忆电路掉电时向IC芯片供电的供电电容；
所述IC芯片在掉电记忆电路掉电时向电压检测电容进行供电并检测电压检测电容的电压，且IC芯片在电压检测电容的电压低于低功耗电压时切换为低功耗模式，IC芯片在切换为低功耗模式后电压检测电容的供电电压高于激活电压时切换为正常模式。
5.如权利要求4所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电阻连接IC芯片的AN引脚，所述供电电容连接IC芯片的VDD引脚和GND引脚。
6.如权利要求4所述的掉电记忆电路，其特征在于，所述电压检测电容为瓷片电容，所述供电电容为电解电容。
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