[实用新型]一种支持低功耗的快速启动的单片机控制电路有效
申请号: | 201320885375.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203759468U | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 施江肖;叶良朋;胡杭军 | 申请(专利权)人: | 浙江志展智能科技有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310027 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支持 功耗 快速 启动 单片机 控制电路 | ||
1.一种支持低功耗的快速启动的单片机控制电路,包括低功耗MCU、MOS管Q2和MOS管Q4,所述低功耗MCU具有VVD电源端(1)、VSS接地端(2)、第一I/O引脚(3)和第二I/O引脚(4),其特征在于:电池电压Vbat端经电阻R5、按键KEY4和第一I/O引脚(3)相连, MOS管Q2的S极与电池电压Vbat端相连,D极经电阻R6和VVD电源端(1)相连,G极和MOS管Q4的D极相连,MOS管Q4的S极接地,G极和第一I/O引脚(3)相连。
2.如权利要求1所述的支持低功耗的快速启动的单片机控制电路,其特征在于:所述电池电压Vbat端通过电阻R8、外围普通按键KEY6直接与第二I/O引脚(4)相连。
3.如权利要求1或2所述的支持低功耗的快速启动的单片机控制电路,其特征在于:所述MOS管Q2和MOS管Q4分别是NMOS管和PMOS管。
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