[实用新型]一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构有效

专利信息
申请号: 201320886233.7 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN203645527U 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 熊纪飞;贾团社;王家兵;杨建清;刘承鹏;董静 申请(专利权)人: 深圳市澳地特电气技术有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H05K7/20
代理公司: 深圳国鑫联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 代理人: 王志强
地址: 518100 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 igbt 功率 变频器 紧凑 布局 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及变频器领域,尤其涉及一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构。

背景技术

变频器是常用的电源器件,而IGBT开关器件在变频器行业,尤其是小功率低压变频器、小功率新能源逆变器等中均有使用。现有技术中大部分采用IGBT单管的变频器厂家为了解决IGBT单管器件散热问题时,都是先将单管IGBT沿着引脚根部进行90°折弯,焊接在PCB基板上,然后直接将IGBT面贴在散热器基板上,这种布局方式由于IGBT放置太过于集中,热量会完全集中在一点上,不利于散热,导致IGBT单管容易温升过高而损坏,同时占用PCB基板和散热器基板的大量面积,而且不利于PCB布线,导致很多跳线增加,以及对线路板造成EMC干扰。这样会导致散热器基板体积增大,成本增加,同时还会使整个变频器的可靠性能下降。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决目前IGBT单管在散热器上的排列过于集中,不利于散热和PCB布线的问题,提供了一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构,能够将IGBT单管分散安装在散热器上,减少整个变频器的体积,有利于PCB布线。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:

本实用新型提供的一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构包括散热器、第一IGBT单管组、第二IGBT单管组、场效应开关管、整流桥和PCB基板;所述散热器的基板包括互相垂直的底板和侧板,PCB基板与底板平行;第一IGBT单管组、场效应开关管和整流桥安装在底板上,第二IGBT单管组安装在侧板上,第一IGBT单管组、第二IGBT单管组与底板、侧板之间垫有绝缘片;第一 IGBT单管组的引脚和场效应开关管引脚往相同的方向弯曲,第一IGBT单管组与第二IGBT单管组的引脚、场效应开关管引脚和整流桥引脚焊接在PCB基板上。

特别的,所述第一IGBT单管组和第二IGBT单管组均由多个IGBT单管组成。

特别的,所述第一IGBT单管组的引脚和场效应开关管引脚往相同的方向弯曲90°。

特别的,所述第一IGBT单管组、第二IGBT单管组、场效应开关管和整流桥通过螺丝件安装在所述底板和所述侧板上。

本实用新型的有益效果:由于IGBT单管分别安装在散热器的基板的两个互相垂直的平板上,使得IGBT单管能分散安装散热器上,从而提高了散热的效率,避免由于温度过高而导致IGBT单管的损坏;同时还减少了在PCB基板和散热器基板上所占的面积,相应的减少了变频器的体积,更有利于PCB布线,提高了变频器的稳定性。

附图说明

图1为IGBT单管、场效应开关管和整流桥在散热器的基板上的分布示意图。

图2为本实用新型提供的一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步的说明,本实施例仅代表一种最佳实施方式,不应该构成对本实用新型的限制。

如图1和图2所示,本实用新型提供的一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构包括散热器1、第一IGBT单管组2、第二IGBT单管组3、场效应开关管4、整流桥5和PCB基板6。散热器1的基板包括互相垂直的矩形的底板11和侧板12,PCB基板6与底板11平行。第一IGBT单管组2由3个IGBT单管组成,第二IGBT单管组3由4个IGBT单管组成,第一IGBT单管组2、场效应开关管4和整流桥5通过螺丝安装在底板11上,第一 IGBT单管组2的引脚21和场效应开关管引脚41均往相同方向弯曲90°;第二 IGBT单管组3通过螺丝安装在侧板12上。第一IGBT单管组2、第二IGBT单管组3与底板11、侧板12之间垫有绝缘片7。第一IGBT单管组2与第二IGBT单管组3的引脚21、场效应开关管引脚41和整流桥引脚51均焊接在PCB基板6上。

本实用新型提供的一种基于IGBT单管的小功率变频器紧凑布局结构的安装过程如下:先将第一IGBT单管组2、第二IGBT单管组3和绝缘片7通过螺丝件安装在底板11和侧板12上,再将场效应开关管4和整流桥5同样通过螺丝件安装在底板11上,然后把第一 IGBT单管组2的引脚21和场效应开关管引脚41往相同方向弯曲90°,最后将第一IGBT单管组2与第二IGBT单管组3的引脚21、场效应开关管引脚41和整流桥引脚51焊接在PCB基板6上。

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