[实用新型]一种晶硅电池双层膜钝化减反结构有效
| 申请号： | 201320886856.4 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203690311U | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 | 申请（专利权）人： | 秦广飞 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274300 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电池 双层 钝化 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶硅电池双层膜钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片(1)表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池片(1)上方的下层氮化硅薄膜(2)及下层氮化硅薄膜(2)上方的上层氮化硅薄膜(3)，所述下层氮化硅薄膜(2)的厚度为d2，折射率为n2，上层氮化硅薄膜(3)的厚度d1，折射率为n1，且d1>d2，n1<n2。
2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池双层膜钝化减反结构，其特征是：所述n1、n2、d2的关系为n12=n0n2，其中n0为空气的折射率，n1d1=λ0/4，λ0为入射光波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
