[实用新型]一种直接数字驱动功放模块有效
申请号: | 201320888217.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203734630U | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 徐邦辉;聂志龙;肖秋华;周光成;王立军;曾宾阳;曾霖 | 申请(专利权)人: | 国家广播电影电视总局五六一台 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直接 数字 驱动 功放 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种应用在多频中波发射机的某一模块,具体涉及一种直接数字驱动功放模块。
背景技术
传统的中波发射机只能播出固定的某一频率,若改频时,需要对许多部位重新调整,以DX200中波发射机为例,调整的部位有预驱动、驱动级、效率线圈、输出网络以及部分板卡,直接数字驱动功放模块上对输入的TTL射频信号进行放大后驱动MOS场效应管,这样相对传统的中波发射机而言,省去了预驱动、驱动级等复杂的调谐部件,对中波发射机的多频工作提供了现实依据,现直接数字驱动功放模块已经在我台正在研制的多频中波发射机上得到应用,能够在100KW载波下,加90%调制度,三大指标均达到甲级,效率上优于现有的DX200发射机。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种直接数字驱动功放模块,该模块设有自保电路,可以减少射频输出对输入的影响,并且采用射频隔离与死区保护相结合,提高模块的集成度。
本实用新型是这样来实现的,它包括平衡转不平衡电路、开关电源电路、可编程逻辑电路、射频隔离芯片和驱动电路、H桥输出电路,所述H桥输出电路由八个MOS场效应管IRFP460LC组成,其特征是:平衡转不平衡电路和开关电源电路分别连接可编程逻辑电路,可编程逻辑电路连接射频隔离芯片和驱动电路,射频隔离芯片和驱动电路连接H桥输出电路。
本实用新型所述射频隔离芯片采用两片SI8233芯片作为射频隔离与死区保护。
本实用新型所述开关电源电路只外接+12V和+48V电源,其主要部件包括载波四分频电路、隔离电路、开关管、高频变压器、整流电路、滤波与稳压电路。
本实用新型所述可编程逻辑电路中包括器件PAL22V10,器件PAL22V10检测与控制直接数字驱动功放模块输入信号和输出信号。
本实用新型的工作原理是:直接数字驱动功放模块接收外部输入的差分PECL平衡射频输入信号,通过平衡转不平衡电路将差分PECL信号转换成TTL信号后送至可编程逻辑电路中的器件PAL22V10,与模块控制开关信号进行逻辑运算后产生5路射频信号BRI_A、BRI_B、BRI_C、BRI_D、PSCLK,其中BRI_A、BRI_D、PSCLK与RF同向,而BRI_B、BRI_C与RF反向;PSCLK作为开关电源的射频源送至开关电源电路;BRI_A、BRI_C同时送入一片射频隔离芯片,其中BRI_A通过驱动电路控制MOS场效应管Q1/Q3,BRI_C通过驱动电路控制MOS场效应管Q5/Q7;BRI_B、BRI_D同时送入另一片射频隔离芯片, BRI_B通过驱动电路控制MOS场效应管Q2/Q4,BRI_D通过驱动电路控制MOS场效应管Q6/Q8。
本实用新型的效果是:(1)采用直接单路差分PECL平衡射频输入,减少射频输出对输入的影响;(2)采用Si8233芯片进行射频隔离与死区保护,大大提高模块的集成度;(3)采用IXDD604PI芯片来驱动MOS场效应管IRFP460,具有体积小、驱动能力强的特点,并在IXDD604PI输出端增加了滤波与栅极保护电路,确保场效应管IRFP460能够及时开通与关断;(4)电源设有自保电路,不仅大大提高了模块本身电源的可靠性,而且也提高了模块的寿命;(5)采用可编程逻辑器件PAL22V10进行监测与控制,与传统的发射机对保险丝监测不同,直接监测射频功放输出,对射频输出设有过高与过低保护,并在无射频激励时,自动将模块关断,防止感应电压将模块烧毁。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的射频隔离与死区保护电路图。
图3为本实用新型的开关电源电路图。
图4为本实用新型的开关电源电路输入部分拆分图。
图5为本实用新型的开关电源电路输出部分拆分图。
图6为本实用新型的开关电源电路+5.5V电源拆分图。
图7为本实用新型控制与检测电路图。
图8为本实用新型控制与检测电路输入部分拆分图。
图9为本实用新型控制与检测电路输出部分拆分图。
图10为本实用新型可控编程逻辑电路。
图11为本实用新型的输出波形图和DX发射机功率模块输出波形图对比图。
在图中,1、平衡转不平衡电路, 2、开关电源电路, 3、可编程逻辑电路, 4、射频隔离芯片, 5、驱动电路, 6、H桥输出电路,7、MOS场效应管Q1/Q3, 8、MOS场效应管Q5/Q7, 9、MOS场效应管Q2/Q4, 10、MOS场效应管Q6/Q8。
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