[实用新型]一种磁电阻成像传感器阵列

权利要求书

1.一种磁电阻成像传感器阵列，用于从载有磁印记的媒介上读取图像， 其特征在于，包括一电子子装件，所述电子子装件包括

a）至少一个传感元件阵列，并且所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件；

b）至少一个传感元件阵列基片，每一个传感元件阵列位于一个传感元件阵列基片的顶面上，每一个所述的传感元件阵列基片还有一底面；

c）一个感应平面，该感应平面穿过所述传感元件阵列的几何中心并平行于所述传感元件阵列基片的顶面；

d）一个系统电路网络，该系统电路网络包括一个或多个与所述传感元件阵列电子连接的应用集成电路；

在向所述的媒介的方向，电子子装件有一平行于所述感应平面的最大延伸平面，所述感应平面与所述最大延伸平面之间形成最大延伸距离，通过使用减小所述最大延伸距离的所述集成电路和所述传感元件阵列基片的位置的排布和电连接，使所述最大延伸距离≤150μm。

2.根据权利要求1所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述多个应用集成电路部分或全部集成于ASIC基片的顶面和/或底面上。

3.根据权利要求2 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的ASIC基片位于其在功能上支持的所述传感元件阵列位于的所述传感元件阵列基片的所述底面的下方，一片所述ASIC基片支持任意数目的所述传感元件阵列。

4.根据权利要求2 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的ASIC基片与其在功能上支持的所述传感器元件子阵列位于的所述传感元件阵列基片并列放置于刚性支撑上；一片所述ASIC基片支持任意数目的所述传感元件阵列；所述ASIC基片的顶面低于所述感应平面。

5.根据权利要求1 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的多个应用集成电路部分或全部地集成于所述传感器元件阵列基片的顶面和/或底面上。

6.根据权利要求2-4中任一项所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述系统电路网络包括基片电连接和/或焊接凸块，所述基片电连接和/或焊接凸块为所述系统电路网络提供部分或全部纵向电连接。

7.根据权利要求6所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述的基片电连接提供的纵向电连接包括从所述传感元件阵列基片的所述的顶面到所述传感元件阵列基片的所述的底面和/或从所述ASIC基片的所述顶面到所述ASIC基片的所述底面的纵向电连接和/或从所述传感元件基片到所述ASIC基片的纵向电连接。

8.根据权利要求1 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：包括电源和信号输出/输入器件，并且所述电源和信号输出/输入器件与所述系统电路网络有电连接。

9.根据权利要求8 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：包括柔性印制电路和/或PCB；所述柔性印制电路和/或所述PCB为所述系统电路网络提供所需的部分或全部电连接；所述电源和所述信号输出/输入器件形成于所述柔性印制电路和/或所述PCB上。

10.根据权利要求1 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述电子子装件外面有外壳，所述外壳有一外壳顶面和一外壳底面；所述外壳底面与所述感应平面的最大距离≤150μm。

11.根据权利要求1 所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：包括位于所述传感元件阵列基片下方的永磁体以及位于永磁体和所述传感元件阵列基片之间的磁偏置装置。

12.根据权利要求1所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述磁电阻传感元件是TMR，AMR，GM和/或Hall传感元件。

13.根据权利要求1所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：所述应用集成电路包括电源电路、电源选择开关、元件选择电路、差分放大电路、ADC电路、快速存储电路、图像存储电路、长期存储电路、MCU电路和输入/输出电路、数据分析、数据信号转换中的一种或几种。

14.根据权利要求1所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：包括填充物，所述填充物在所述电子子装件上形成一层保护层， 所述保护层与所述的电子子装件之间具有空隙或没有间隙。

15.根据权利要求10所述的一种磁电阻成像传感器阵列，其特征在于：包括填充在所述外壳和所述电子子装件之间的空隙里及电子子装件上的填充物。