[实用新型]一种用于数码发电机逆变器的三相可控硅整流稳压电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种整流稳压电路，特别是涉及一种用于数码发电机逆变器的三相可控硅整流稳压电路。

背景技术

目前，公知的数码发电机逆变器中的三相整流稳压电路大都结构复杂，成本较高。

有鉴于此，本发明人对此进行研究，专门开发出一种用于数码发电机逆变器的三相可控硅整流稳压电路，本案由此产生。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于数码发电机逆变器的三相可控硅整流稳压电路，能把发电机输出的三相电转换成所需要的直流电，结构简单，性能稳定，且成本低廉。

为了实现上述目的，本实用新型的解决方案是：

一种用于数码发电机逆变器的三相可控硅整流稳压电路，包括三相半可控整流模块、晶体管驱动模块、晶体管稳压模块和整流供电模块，发电机输出的三相交流电一路输入到三相半可控整流模块中，为三相半可控整流模块提供输入电源，另一路通过整流供电模块给晶体管驱动模块供电，晶体管驱动模块为三相半可控整流模块提供驱动，三相半可控整流模块输出信号到晶体管稳压模块，晶体管稳压模块分析判断后输出信号到晶体管驱动模块，为晶体管驱动模块提供稳压信号，从而使三相半可控整流模块有效控制输出直流电压。

进一步，上述三相半可控整流模块包括第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容和第八电容，其中，第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅、第一二极管、第二二极管、第三二极管组成三相半可控模块主结构，第一电阻与第一电容、第二电阻与第二电容、第三电阻与第三电容分别串联后并联于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的A  K两端，吸收三相交流高压电的畸变波形，有效保护第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅，第四电容、第五电容、第六电容分别连接于第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的K G两端，吸收来自晶体管驱动模块驱动信号上噪声，保护第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅，第七电容与第八电容并联接于第一可控硅的K极与地线间。

进一步，上述第七电容为CBB电容，用于吸收高压直流电上的高频开关噪声；所述第八电容为电解电容，起到滤波作用。

进一步，上述晶体管驱动模块包括第九电容、第一晶体管、第一稳压管、第二稳压管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻，其中，第一晶体管的D 极接于整流供电模块中第四二极管的阴极，第四电阻接于第一晶体管的G D两级间，第一稳压管接于第一晶体管的 G S两级间, 整流供电模块中的电压信号通过第四电阻加于第一晶体管上，使第一晶体管导通，第一稳压管能限制第一晶体管G S两级电压，起到保护第一晶体管作用，第九电容接于第一晶体管的D 极与三相半可控整流模块中第一可控硅的K 极之间，吸收第一晶体管开关时产生的高频开关噪声，第五电阻与第二稳压管并联接于第一晶体管S极与三相半可控整流模块中第一可控硅的K 极之间，起到钳位三相半可控整流模块中第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G  K两端电压，保护第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G  K两端电压，第六电阻、第七电阻和第八电阻一端共同接于第一晶体管的D极，另一端分别接于三相半可控整流模块中第一可控硅、第二可控硅和第三可控硅的G 极，起到限流保护作用。

进一步，上述第九电容为高压瓷片电容。

进一步，上述晶体管稳压模块包括第二晶体管、第三晶体管、第三稳压管、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻，其中， 第二晶体管的E极接于第一晶体管的G极，C极接于第一可控硅的K 极，第九电阻接于第二晶体管的B E两级间，第三晶体管的C极通过第十电阻接于第二晶体管的B极，E极接于第三稳压管的阴极，第三稳压管的阳极接于地线，第十一电阻接于第三稳压管的阴极与第二晶体管的C极，第十二电阻和第十三电阻串联接于第二晶体管的C极与地线之间，第十二电阻与第十三电阻的公共端接于第三晶体管的B极，通过低十一电阻与第三稳压管使得第三晶体管的E极电压保持在固定电压上，通过第十二电阻与第十三电阻采样高压直流电压，当高压直流电压大于设定值时，第三晶体管导通，使得第二晶体管导通，从而改变驱动模块中驱动信号，在恶劣环境时，第九电阻能有效防止第二晶体管因B E极间漏电流而产生的误导通的发生。