[实用新型]高可靠性发光二极管支架有效
申请号: | 201320890791.0 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203721761U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 程志坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56 |
代理公司: | 深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 彭年才 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可靠性 发光二极管 支架 | ||
1.一种高可靠性发光二极管支架,其包括引线框架和设于引线框架上的基座,所述引线框架和基座限定一个反射凹腔,所述引线框架包括正电极框架和负电极框架,其特征在于,所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙,所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽,所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件,所述沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分,所述基座是热硬化性树脂基座,所述绝缘部件是热硬化性树脂层。
2.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述沟槽的槽宽大于所述间隙的宽度,所述沟槽和间隙组合的截面呈T字形。
3.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述沟槽由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷或者由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷形成。
4.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述沟槽由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷,所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面,所述引线框架的底面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽,所述引线框架的底面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。
5.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述沟槽由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷,所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面,所述引线框架的上表面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽,所述引线框架的上表面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。
6.如权利要求4或5所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述第一侧凹槽沿着整个第一侧面方向延伸,所述第二侧凹槽沿着整个第二侧面方向延伸,所述第一侧凹槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分,所述第二侧凹槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分。
7.如权利要求6所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层,所述基座、绝缘部件及绝缘层为同样材料一体成型的结构。
8.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述引线框架上表面包括暴露于反射凹腔用于固晶的固晶面和与基座结合的结合面,所述结合面至少在环绕反射凹腔底部的环状区域经过化学腐蚀处理形成粗糙部分。
9.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述基座包括覆盖于引线框架结合面的上基座和包覆于引线框架侧面的下基座,所述下基座与绝缘部件连成一体。
10.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述基座是热硬化性环氧树脂基座,所述绝缘部件是热硬化性环氧树脂层。
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